MC模拟的比较.pdfVIP

计 算 物 理 Vo1．29．NO．2 第29卷 第2期 2012年 3月 CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS Mar．，2012 文章编号 ：1001—246X(2012)02—0227~7 氮气射频放 电与直流放 电PIC／MC模拟的比较 张连珠， 赵海涛， 孙 倩 ， 姚福保， 杨 巍 (河北师范大学物理科学与信息工程学院，石家庄 050024) 摘 要 ：建立氮气容性射频等离子体过程 的PIC／MC模型，将模拟结果与直流放 电进行 比较 ．结果表明：射频等离 子体粒子 (e，N ，N )的平均密度较直流放 电约大一个量级，在射频 电极附近粒子 (e，N ，N )的平均能量 比直流 放 电阴极附近的能量低 3倍左有 ；密度偏低 的原子离子 N 在两电极附近具较高的能量 ，能量较低 的分子离子 N 在放 电空间具较高密度 ，N 的密度大约是 N 的6倍 ；计算 的电子能量几率分布与测量结果一致． 关键词 ：氮气射频放电；PIC／MC模拟 ；N，等离子体 中图分类号 ：0539 文献标识码 ：A 0 引言 氮化材料具有诸多优 良特性及广阔的应用前景 ，尤其是最近发现的氮化铂 、氮化铱 以及各种含氮的 纳米管是国内外研究的热点．氮气放电等离子体作为氮活性粒子的提供手段 ，在氮化物合成及金属表面氮化 技术等领域 ，吸引着科学界和工业界 的关注．氮等离子体是合成 III族氮化物 (InN，GaN，A1N等被视为最先 进的第三代半导体材料)N原子的源 ；等离子体渗氮能大大提高不锈钢 的硬度、耐腐蚀性 、抗磨损及表面 品质 ；氮等离子体离子注入可以充分减少各种合金的磨损率 ，通常寿命增加 2～3个数量级 ；最近，N，／ H 混合放电用于低介电常数有机薄膜的刻蚀 ．在氮等离子体研究中，理论模拟研究远不如实验研究那么 广泛 ’ ．最近，Thorsteinsson等采用 Global模型，分别研究 了低气压氮气直流放 电和氮气脉冲放电等离 子体动力学过程 ，计算 了电子能量分布函数 、N，分子的离解率及 N和 N 的产生和损失等 I9；Petrovic等模 拟了低气压纯氮快电子的热化 ¨ ；Lebedev等对 N 微波放 电特性进行 了数值模拟研究，计算的N 分子的电 子激发态与发射谱进行 了 比较 ；我们采用 MonteCarlo(MC)模 型对氮气直流辉光放 电作 了系列研 究 。 ． 射频 (RF)放电等离子体电离度高，各种活性粒子的产生率较大 ，且结构简单 ，工作气压较低．在其具 体工艺中，工件的质量及性能在很大程度上取决于它与等离子体的相互作用过程 ，研究轰击电极等离子体离 子的能量分布函数 、RF放电物理机制及放电参数对加工过程 的影响，是十分必要 的．Bogaerts采用流体和 MC混合模型模拟了Ar容性射频放 电，研究了其碰撞 电离特征 143；Salabas等采用流体模型研究了低气压下 H：射频等离子体特征 ；LVShaobo等采用一维流体模型模拟了CH 射频等离子体 ¨．人们虽然对射频等 离子体理论模拟研究已超过2O年，但至今关于纯氮气射频等离子体的理论模拟 尚未见报道 ，具体的N，射频 等离子体的微观过程及其氮活性粒子产生及行为分布有待于更深入的研究及更为精准的定量描述．在各种 模拟方法中，particleincell-MonteCarlo(PIC—MC)方法是推崇 的一种研究方法 ，其方法不仅兼顾 了PIC处理 集体相互作用和 MC处理粒子碰撞的优势 ，而且模拟精度高 ，可 以描述等离子体过程细节．本工作开发 了氮 气容性耦合射频放电PIC—MC模型，通过模拟氮气射频等离子体各参量随时间的演化过程 ，描述与氮气直流 放电的区别和联系，来揭示氮气射频放电的物理机制及氮气射频等离子体的特征 ，为氮气混合气体放 电的模 拟及具体氮化材料合成工艺的理论研究奠定了基础． 收稿 日期 ：2011—06—26；修回 日期 ：2011—10—03 基金项 目：河北省 自然科学基金(A2006000123)资助项 目 作者简介 ：张连珠(1957一)，女 ，教授 ，主要从事低温等离子体数值模拟研究，E-mail：zhanglianzhu一1@163．con