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PN结特性的研究.docVIP

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PN结特性的研究.doc

实验报告(正式) 86 实验者:张钟秀 P 实验日期:2008.10.20 实验题目:PN结特性的研究 注:实验目的,实验原理见预习报告,预习报告与原始数据以纸质材料提交。 实验条件:时间 14:00~17:00 天气 多云 20℃ 实验仪器: 基准电源 QS-J型PN结特性测试仪 实验内容: 1、仪器调整,预热20min,测量硅管,IF=50μA,ΔV=0V,记录t℃和VF。 2、升温测量(t120℃)。 3、降温测量(切断加温电流)。 4、升温、降温数据分别处理(origin),计算该PN结温度系数和禁带宽度,结果与公称值比较并求相对误差。 实验数据及处理: 实验起始温度 TS(升温)=26.5℃ TS(降温)=26.7℃ 工作电流 IF=50μA 起始温度时为TS时的正向压降VF(TS)=602mV 表:升温、降温温度T与ΔV关系 控温电流/A ΔV =VF(T)-VF(TS)/mV T(升温)/ ℃ T=(273.2+T)K T(降温)/ ℃ T=(273.2+T)K 0.1 -10 31.0 304.2 31.0 304.2 0.2 -20 35.7 308.9 35.7 308.9 0.2 -30 40.4 313.6 40.8 314 0.3 -40 45.2 318.4 44.9 318.1 0.3 -50 50.0 323.2 50.1 323.3 0.3 -60 54.8 328 54.3 327.5 0.4 -70 59.5 332.7 59.1 332.3 0.4 -80 64.2 337.4 63.9 337.1 0.4 -90 69.1 342.3 68.7 341.9 0.4 -100 73.7 346.9 73.4 346.6 0.4 -110 78.3 351.5 78.1 351.3 0.5 -120 83.1 356.3 82.9 356.1 0.5 -130 87.9 361.1 87.6 360.8 0.5 -140 92.6 365.8 92.3 365.5 0.5 -150 97.5 370.7 97.1 370.3 0.5 -160 102.2 375.4 101.8 375 0.5 -170 106.9 380.1 106.6 379.8 0.5 -180 111.6 384.8 111.4 384.6 分别以T(升温) T(降温)为x轴,ΔV为y轴,用origin进行线性拟合 升温时: S=-2.108mV/℃ Vg(0)=VF(TS)-S·TS=602+2.108×(26.5+273.2)=1233mV Eg(0)=qVg(0)=1e×1233mV=1.23eV 相对误差为| Eg(0)-Eg(0)公认|/ Eg(0)公认=|1.23-1.21|/1.21=1.65% 降温时: S=-2.117mV/℃ Vg(0)=VF(TS)-S·TS=602+2.117×(26.7+273.2)=1237mV Eg(0)=qVg(0)=1e×1237mV=1.24eV 相对误差为| Eg(0)-Eg(0)公认|/ Eg(0)公认=|1.24-1.21|/1.21=2.48% 思考题: 1、测VS(0)或VF(TS)的目的何在?为什么实验要求测?V—T曲线而不是VF—T曲线。 答:测VF(TS)是为了较准确地计算Vg(0),因为虽然按照公式使用任意温度T处数据都可求得Vg(0),但由于半导体元件状态并不稳定,且由于仪器精度问题,一个V对应了多个T,使得误差较大,而试验一开始便记录VF(TS)可减小这种问题导致的误差。 测?V—T曲线而不是VF—T曲线是因为试验中使用基准电源补偿了正向压降 VF(TR),直接测VF时,由于电源的内阻等原因是VF产生误差,而测?V则不存在这个问题。 2、测?V—T曲线为何按?V的变化读取T,而不是按自变量T读取?V。 答:因为测T的仪器灵敏度较高,测?V的仪器灵敏度较低,一个?V直对应了多个T值,按?V读取T时可以读取每个?V对应的第一个T值,这样可以减小线性拟合直线的斜率的误差。

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