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浅析位错运动的形成与类型 李健 （同济大学材料科学与工程学院，2012级，1251654） 摘要：位错是晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列。从几 何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界 线。本文将结合位错的基本类型来浅析位错运动的形成与类型。 关键词：刃型位错、螺型位错、滑移、攀移、交滑移 0 引言 位错最重要和最基本的形态有刃型位错、螺型位错两种，也有介于这两者之 间的混合型位错。位错对于晶体生长、塑性变形和断裂、强度和塑性、扩散和相 变等性质有着重要影响。 1956年Bollmann在不锈钢中，Hirsch在铝中独立地发现用电子显微镜透过 减薄到约1000埃的金属膜能观察到位错，且膜内的温度梯度或氧化层生长所引 起的应力作用下位错能够自由运动，Hirsch还制作了位错运动的影片。此后， 对各种蚀坑和生长图形的考察以及滑移线的形成，早已证明位错是可动的。 1 刃型位错的运动 刃型位错相当于局部滑移区的边界，晶体某一区域受压缩作用后，造成质点 滑移，滑移面和未滑移面的交界处有一条交界线，称之为位错线。位错线以上部 分的原子间距较密、下部分原子间距较疏，原子间距疏密不均的现象视为线缺陷， 这类线缺陷为刃型位错。如果在 刃型位错的特点是滑移方向垂直于位错线，平行于Burgers矢量。此外，把 多余半原子面在滑移面的上边的刃型位错称为正刃型位错，反之为负刃型位错。 1.1 刃型位错的滑移运动 如果在刃型位错的滑移面上施加一个垂直于位错线的切应力，这个位错线就 很容易在滑移面上运动起来。这种运动只牵涉到靠近位错心部为数不多的一些原 1 子，而离位错心部较远的原子不受位错移动的影响，因而使位错移动的切应力是 很小的。 图为刃型位错滑移示意图。在外加力t的作用下，位错中心的原子从 “.” 位置移动到 “。”位置，使得位错在滑移面上向左移动了一个原子间距。如果切 应力t继续作用下去，位错就会继续向左逐步移动。当位错线沿滑移面滑移 （如 图b所示）通过整个晶体时，就会在晶体表面沿Burgers矢量方向产生宽度为 Burgers矢量大小的台阶，造成晶体的塑性形变。 随着位错的滑移，位错线所扫过的区域逐渐扩大，未滑移区逐渐减小，两个 区域始终以位错线为分界线。 在滑移时，刃型位错的运动方向始终垂直于位错线而平行于Burgers矢量， 刃型位错的滑移面是由位错线和Burgers矢量所确定的唯一的平面。 此外刃型位错分为正负两种，如图，在相同的外加切应力作用下，正、负刃 型位错的运动方向相反，但产生的形变却完全相同。两排符号相反的刃型位错在 距离小于1nm的两个滑移面上移动，相遇后对消而产生裂纹萌芽，如上图所示。 2 1.2 刃型位错的攀移运动 刃型位错在垂直于滑移面方向的运动称之为攀移。通常把多余半原子面向上 运动称为正攀移，向下运动称为负攀移。 刃型位错的攀移相当于多余半原子面的伸长或者缩短，可通过物质迁移即原 子或空位的扩散来实现，如果有空位迁移到半原子面下端或半原子面下端的原子 扩散至别处，则半原子面将会缩小，刃型位错向上运动，发生正攀移；反之，若 有原子扩散至半原子面下端，半原子面扩大，刃型位错向下运动，发生负攀移。 而螺型位错没有多余的半原子面，因此不会发生螺型位错的攀移运动，只有刃型 位错的攀移运动（如下图）。 攀移运动伴随着位错线附近的原子增加和减少，即有物质的迁移，也就有体 积的变化，攀移受体积变化引起的较大阻力影响，实现很困难。而体积变化同时 也可由外加正应力和空位或间隙原子的聚集产生，所以刃型位错的攀移运动的驱 动力可为弹性攀移力和渗透力。 弹性攀移力大小与平行于Burgers矢量方向的正应力有关。渗透力和晶体中 空位和或间隙原子的过饱和度有关，温度越高，空位过饱和度越大，渗透力越大。 这表明温度越高并且晶体存在过饱和空位时，刃型位错容易产生攀移运动。 2 螺型位错的运动 在刃型位错中，晶体发生局部滑移的方向是与位错线垂直的，如果局部滑移 是沿着与位错线平行的方向移动一个原子间距，那么在滑移区与未滑移区的边界 上形成一个位错，原子平面在位错线附近扭曲