超高频感应加热功率组件MOSFET突波抑制探讨.pdfVIP

第十七届全国电源技术年会论文集 陈慕平杨明哲陈婉佩陈柏粜黄俊郎 台湾工业技术研究院(中国，台湾新竹310) 摘要：本文主要探讨超高频电磁感应加热供电器MOSFET功率组件，于应用时，为达到高稳定度需加考量的相关技术与要点，包括以零电 3kw超高频感应加热供电器，工作频率最高可达1MHz，硬件架构采用串联共振系统，藉此供电器进行相关课题探讨研究。 1 引言 功率组件在电力电子产品中扮演了一个非常重要的地位， 一则其成本约占产品材料成本的30％，一但在保固期烧毁，维修 成本甚高，造成血本无归，且对商誉打击甚大。虽然在电路中功 率组件只是扮演一个很简单的开关角色，但其开关速度所造成 的瞬时高电压变化率及电流变化率，往往造成很强的电磁波干 扰及严重的组件损坏，甚至于引起火灾，所以每个制造商莫不投 入相当大精力于功率组件级的设计与测试。国际上亦有一些重 图1系统架构图 要研究的发展[1。]，大幅提升电力电子产品的可靠度。。超高频 集极及射级间的电压的能力。一般而言，不须对于寄生晶体管 感应加热供电器，由于工作频率高达1MHz，组件快速切换，造成太过于考量，因为Rbe数值很小，且Ccb随着Vk的增高而变小，所 了很大的电磁干扰与切换损失，更由于快速的电压变化率(d∥ 以只有在d∥dt大于30v／as时，才会造成寄生晶体管的导通。 dt)，造成很大的突波及热量损耗，且由于受限于滤波组件的频 但在高频时(如频率大于1MHz时)，则需慎重考量此一状况。 宽，高频突波无法用缓冲电路(snubber)]E以吸收，因此本文特别 D 针对超高频感应加热供电器功率组件MOSFET驱动设计加以 探讨，藉由小信号模型的探讨，提出一些解决对策与实务。 2研究系统架构说明 本文所探讨之超高频感应加热功率组件MOSFET，其输出 频率主要范围为800kHz～1MHz，功率为3．2kW。系统架构图 图2 MOSFET内部存在一个寄生晶体管(BJT) 如图1所示，包括三个部份： 功率MOSFET因具有高频宽和高输入阻抗，成为造成不稳 (1)输入电源部份，交流220V的市电电源，经过噪声滤波器 定的主要因素。其增益于100MHz时仍大于一，经由内部及电 (EMIFilter)、桥式整流器和滤波电容，整流成310V的直流电压 路上的寄生电容很容易形成一个谐振电路。高输入抗造成其容 源，作为后级全桥电力转换电路电源； 易回授信号到闸极电路。其等效电路模型如图3所示。 (2)后级全桥电力转换电路，采用四颗高频MOSFET(Q1～ Q4)构成全桥电路，高频输出讯号经由闸极驱动器推动全桥电 路，产生高频的交流电压讯号，传送至由输出电感(L)、输出电容 (C)和输出变压器，工作线圈及负载所构成的串并联共振回路； 。。霸V_筮8j (3)控制回路，系由PIC单芯片微处理机电路及锁相回路集 成电路(RCA4046)所构成。单芯片微处理机电路用来从事键盘及 图3操作在线性区之小信号电路模型 发光二极管显示器之人机接口处理、工作条件的设定、保护电路 根据Routh-Hurwitz稳定法则[4]，下述条件必须符合： 监控及操作命令的下达。锁相回路则用来做输出最大功率追踪 (1) LG(cad+C1]s)2RG／CGDgm 及功率组件的零电压切换的控制；功率组件工作于零电压切换状 其中，LG为闸极驱动电路电感，在高增益(gm)下只需几个nH就 况下，大幅降低突波电压，使系统工作于高稳定度之操作点上。 可能造成电路的不稳定，如图4所示。闸极电路回路面积不只 3 MOSFET小信号模式分析 要小到能防止集极电路的耦合，同