功率MOSFET的封装失效分析.pdfVIP

第 卷 第 期 10 1 Vol.10 No.1 年 月 ElectronicComponentDeviceApplications 20081 Jan. 2008 功率MOSFET的封装失效分析 唐穗生 汕头华汕电子器件有限公司,广东 汕头 ( 515041) 摘 要:在半导体器件的生产工艺过程中, 器件的芯片结构不同于普通晶体管,而 MOSFET 且, 器件对后道装配的要求也较高,文中从生产实际出发,对功率 器件在测 MOSFET MOSFET 试中出现的不良品进行了分析,并对其失效机理和影响因素进行了探讨,最后提出了相应的 改进措施。 关键词: ;封装;失效机理 MOSFET 0 引言 2 失效分析 与传统的双极型晶体管相比,在实现同样功 2.1△V不良 DS 能的电子线路时,使用 的电路则更加简 MOSFET 是一定偏置条件下 的变化值,是考 △V V DS DS 单,外围器件的数量大大减少,成本降低,体积 核产品在应用过程中散热能力的重要指标。在测 也会大大缩小。另一方面, 是电压控制 MOSFET 试上,主要用来考核产品装配过程中芯片和载芯 器件,其输入电阻特别高,控制电流非常小,因 片 框架 之间的结合情况。而在产品结构上, ( ) 而能够大大降低产品功耗,节约能源。目前,功 通常是采用软焊料作为芯片粘合的介质,图 所 1 率 已广泛应用于电脑、精密控制、开关 MOSFET 示是芯片装配结构图。假设不考虑芯片本身与框 电源和各种电力电子产品中。但是,由于芯片结 架因素的影响,△V 的大小取决于装配后的焊料 DS 构上的差异,功率 的后道封装比普通晶 MOSFET 层状况,主要体现在以下三个方面: 体管具有一定的难度,而且产品质量容易产生波 动,生产过程的控制要求也更高。为此,本文就 封装的