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富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究.pdf
20 2 Vol20, No2
2005 4 Chinese Journal of Liquid Cryst als and Displays Apr. , 2005
: 100 -2 80(2005) 02-0103-04
富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究
1 1 1 2 1 1 1
王 颖 , 申德振 , 张吉英 , 刘益春, 张振中, 吕有明, 范希武
( 1. , 130033, E- mail: wangying3012@ 163. com;
2. , 130024)
: ( PECVD) ,
, X
(XTP)
,
: ; ; Si ;
: O4 2. 3; TN 104. 3 : A
( PECVD)
1 引 言
( 100) ,
, RCA ,
, Si , SiH4 NH3 ,
Chanham 0 40 W,
[ 1] -2
, 10 PaR
, [ NH3 ( mL/ min) SiH4 ( mL/ min) ] = 610
( ) , 68 ( ) , 66 ( ) 3 ,
, 500 nm, 3
[ 2, 3]
, 2
, N 300 , 500 ,
00 900 , 30 min
[ 4~ ]
FTS3000 BIORAD
, , XT P
( 1. 5 ~ ( PL ) Jobin
[ 8]
2. 0 eV ) ( 3. 1~ 3. 8 eV ) , Yvon LABRAM-U V
, 325 nm He-Cd
,
3 结果与讨论
, 1 3 [(R = 610) ,
(R = 68) , ( R = 66) ]
2 实 验
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