Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的研究和应用.pdfVIP

Technol0gicalFrontier 技术前沿 一 中国科学院半导体研究所 向贤碧 廖显伯 摘 要 以砷化镓fGaAs)太阳电池为代表的川一V族太阳电池，具有许多突出的优点：它们的转换效率高，抗辐照性能好，太阳电池性能随温度变化较 慢。因而 GaAs太阳电池，特别是GalnP／GalnAs／Ge三结叠层太阳电池在空间能源领域获得 了越来越广泛的应用。近年来。聚光 川一V族太阳电池的研究进展迅 速 。为其地面应用打下了基础。 …一V族化合物太阳电池系统的成本已大大降低，因而 …一V族化 0 引言 合物太 阳电池 的地面应用 已成为现实可能。 周期表 中 …族元素与 V族元素形成 的化合物简称为 …一V 族化合物。…一V族化合物是继锗(Ge)和硅(Si)材科以后发展起 1 GaAs基系单结太阳电池 来的半导体材料。…一v族化合物材料的种类繁多，其中最主要的 1．1 GaAsG／aAs同质结太 阳电池 是砷化镓 (GaAs)及其相关化合物，称为GaAs基系 …一V族化合 GaAs／GaAs同质结太阳电池的研究始于 20世纪 60年代 ，研 物，其次是以磷化铟 (InP)和相关化合物组成的 1nP基系 …一V族 究方法采用液相外延(LPE)技术。用LPE技术研制GaAs太阳电 化合物。但近年来在叠层 电池的研制中，人们普遍采用 3元和 4 池时遇到的的主要问题是 ，GaAs材料的表面复合速率高。因为 元的…一V族化合物作为各个子 电池材料 ，比如GalnP、AIGalnP、 GaAs是直接带隙材料，对短波长光子的吸收系数高达 10cm。 InGaAs及 GalnNAs等材料，这样就把 GaAs和 InP两个基系的 以上，高能量光子基本上被数百埃厚的表面层吸收，表面复合大 材料结合在一起了。 大降低了GaAs太阳电池的短路 电流 Isc；加之，GaAs没有像 以GaAs为代表的…一V族化合物材料有许多优点，比如它 SiO2／Si那样好的表面钝化层 ，不能用简单的钝化技术来降低 们大多具有直接带隙的能带结构 ，光吸收系数大，只需几微米 GaAs表面复合速率。因而 ，在 GaAs太阳电池研究的初期，电池 (um)的厚度就能充分吸收太阳光，此外，GaAs、lnP等材料还具 效率长时间未能超过 1O％。直到 1973年 ，Hovel等人提出在 有 良好的抗辐射性能和较小的温度系数，因而GaAs基系材料特 GaAs表面生长一薄层AIxGal—xAs窗口层后，这一困难才得 以 别适合于制备高效率、空间用太阳电池。GaAs太阳电池，无论是 克服 。当x=08时，AIxGa1一xAs是间接带隙材料，Eg一2．1eV，对 单结电池还是多结叠层 电池所获得的转换效率都是所有种类太 光的吸收很弱，大部分光将透过AIxGal—xAs层进入到GaAs层 阳电池中最高的。据最新报道 ，美国Spectrolab公司(光谱实验 中，AIxGal—xAs层起到了窗 口层的作用。由于AIxGal—xAs／GaAs 室)已研制出效率高达407％的三结聚光GainP／GalnAs／Ge叠层太 界面晶格失配小，界面态的密度低，对光生载流子的复合较少。采 阳电池I1I，这是人类第一次突破40％效率壁垒的太阳电池。 用AIxGal—xAs／GaAs异质界面结构使 LPE—GaAs电池的效率 尽管 GaAs太阳电池及其它 …一V族化合物太阳电池具有上 述诸多优点，但 由于其材料价格昂贵，制备技术复杂，导致太阳电 向贤碧，高级工程师 池的成本远高于 Si太阳电池，因而除了空间应用之外，GaAs太 地址：北京市海淀区清华东路 甲35号 阳电池的地面应用很少。但近几年来，随着叠层 电池效率的迅速 E-maihxxiang@red．semiac．crl 提高以及聚光太阳电池技术 的发展和设备的不断改进 ，使聚光