GaAs%2fAlGaAs量子阱红外探测器的修饰与研制.pdfVIP

GaAs／AIGaAs量子阱红外探测器的修饰与研制 陆卫、李宁、沈学础 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 上海玉田路500号，200083 黄绮、周筠铭 中国科学院北京物理研究所 外探测器二方面得到体现。在红外探测器方面由于以砷化镓材料为基的量子阱材料在材料与器件工艺 方面都远比典型的红外探测器材料(如碲镉汞、锑化铟等化合物半导体)成熟，从而量子阱红外探测器 很快地在现有的红外探测器工艺平台上得以快速发展，并在常规的量子阱结构上达到了最佳的状态『1． 61。但由于量子阱红外探测器所采用材料的结构是基于纳米尺度的，所以对其真正的优化有着很大的 潜力。本文报道在我国对GaAs／A1GaAs量子阱红外探测器焦平面器件的成功研制，以及一些相关的物 理问题研究。 一、量子阱红外探测器材料的光荧光光谱表在 由具体应用的需求．红外探测器的响应波长是器件最核心参量之一。为此对GaAs]AIGaAs量子 阱红外探测器材料相应的探测波长确定是极为重要的环节。基于量子阱红外探测器的基本探测机理， 对材料相应的探测波长的确定就是要获得量子阱导带内基态与第一激发态问电子的跃迁能量。人们可 以采用吸收光谱方法获得，但鉴于吸收吸收较小原因，人们往往需要将样品制备成波导形式．使被测 样品遭受破坏。另外是制备成器件后直接测量器件响应光谱，这是最准确的方法，但器件制备工艺繁 杂，效率较低，同时也将对样品造成破坏。为了克服对样品破坏和效率低的问题，我们成功地实现了 通过荧光光谱测量获得器件响应波长的方法。 具体是通过对QW[P材料的剖面进行显微荧光“．PL测 量，采用量子阱能带结构的有效质量理论，精确地定出了势 垒中的Af组分和势阱宽度，从而推算出该材料的响应波长。 对随机选择的8种MBE生长进行了测量．并与这些材料制 备成的量子阱g-．*b探测器的实际光电流谱的测量结果进行了 对比，结果如图l所示。其中“一”号为采用MBE生长参 量推算的材料响应波长，…o’为采用u—PL方法测量结果 进行推算的值，而“x”为由器件的光电流直接获得值。从 中可见由叶PL测量结果计算得到的响应波长与实际器件的 图1峰值响应波长的设计值、光电流谱 响应波长有良好的一致性，最大差值小于o．15微米，已可 测量值以及“一PL测量结果的推算值 以满足实际器件应用的要求。结果表明u．PL方法用于MQW 材料筛选意义的。 二、快速热退火技术的材料能带修饰 由上述对器件光电流响峰值的研究表明，器件的性能对材料的量子阱纳米尺度结构十分敏感。已 有的研究表明．当第一激发态处于束缚态时，吸收系数很大，但被红外光激发到第一激发态的电子向 15 外电极传输的系数qll4,，为此对光电流贡献较小：而当第一激发态处于完全连续态时，虽然被红外光 激发到第一激发态的电子向外电极传输的系数可达到1．但吸收系数又变得很小．为此对光电流贡献 同样不大：为此必需将第一激发态置于准束缚态，才能在较大的吸收系数和较大的传输系数上达到对 光电流贡献的最大。但由于量子阱本身的宽度已在4—5纳米．而一个原子层的厚度已达到约o．3纳米， 即量子阱宽度的6％一8％。为此期望通过一个原子层厚度的变化已难以准确地将第一激发态调节到准 束缚态状态。采用界面混合方法对量子阱的方势阱形状进行微调，以实现对第一激发态的精细调节是 很有意义的。作为第一步研究，我们实现了通过快速热退火方法对量子阱势阱的有效修饰。 图2为器件的光电流谱，相应的材料为未退火、800℃、s50℃和900℃快速热退火处理后的量子阱材料， 制备成器件后它们的响应峰值波长分别为7．7岬、7．8岍、8．OBm和8．4岬。为保证器伴胜能之间的可 比性，所有器件的偏置电压均为5伏。850。C和900℃快速热退火器件的峰值响应波长有明显红移，最 大移动量达D．7Wa。这表明材料经历了不同的热退火过程 后，量子阱势形状发生了不同的改变。通常可用Al组分 的误差分布函数表达