基于0.18μm的无电阻无运放低功耗带隙基准源设计.pdfVIP

第15卷 ，第1期 电 子 与 封 装 总 第141期 VOl 15， N0．1 ELECTRONICS PACKAGING 2015年 1月 @ 基于O．18gm的无电阻无运放低功耗 带隙基准源设计 李燕霞，龚 敏 ，高 博 (四川大学物理科学与技术学院，成都 610065) 摘 要 ：设计了一种无电阻和运算放大器的带隙基准源来降低带隙基准源电路设计的复杂度。采用 自偏 置结构来避免设计启动电路和偏置电路，所有的MOS管都工作在亚阂值区域以实现低功耗设计，使得整 个电路结构能在 1．2V的低 电压下工作，此外采用了由BJT构成的高阶温度补偿电路改善电路的温漂系数。 本电路采用SMIC0．18vrnCMOS混合工艺，仿真结果表明，在 l_2V 的电源 电压下，在 一1 110℃之间， 基准电压为579mV，温漂