VLSIULSI中铜互连线的电热模拟.pdfVIP

2003 年 MSC.Software 中国用户论文集 VLSI/ULSI 中铜互连线的电热模拟 李志国 卢振筠 北京工业大学电子信息与控制工程学院 - 1 - 2003 年 MSC.Software 中国用户论文集 VLSI/ULSI 中铜互连线的电热模拟 The Electric-Thermal Simulation of Cu interconnect line in VLSI/ULSI 李志国 卢振筠 (北京工业大学电子信息与控制工程学院) 摘 要:在VLSI/ULSI 中互连线的温度和电流密度的分布极其重要，由此可以分析出失效的 部位和机理，进一步优化互连线的结构和工艺。我们利用MSC.Marc 软件对铜互连线进行了 三维的有限元模拟，模拟了VLSI/ULSI 中铜互连线在电流应力作用下的温度场和电流密度分 布。 关键词: VLSI/ULSI 互连线 温度场 电流密度 有限元模拟 Abstract：The distribution of current density and temperature of interconnect line are important extremely；From this, we can analyse failure position and failure mechanism in interconnect line， further optimization technology and structure of interconnect line. We carry out three-dimensional finite element simulation in Cu interconnect line using MSC.Marc software. The distribution of current density and the temperature of Cu interconnect line under a current stress are simulated. Key words: VLSI/ULSI，intercnnecton line，temperature feiled，cunnent density， finite element simulation 1. 引言 铜互连线作为一种新的互连技术，与Al 相比具有电阻率低，功耗低，RC 时间常数小， 抗电迁徙和应力迁徙能力强等优点，并有取代Al 互连线的趋势。但是，由于Cu 互连线线条 很细，常规工艺在0.25 μm 以下，电流密度很大，电流通过互连线产生焦耳热，从而导致温 度场的不均匀分布。在实践中，在互连线中的温度和电流密度的分布及其重要，可以由此推 断出失效的敏感部位和分析出失效机理，为我们进一步优化工艺和互连线结构，提高可靠性 和成品率提供了有意思的指导。 本文利用MSC.Marc 软件模拟铜互连线在大电流应力条件下，不同阻挡层材料的铜布线 的电流密度、温度和温度梯度分布特性，比较了SiON,Ta,TiN 几种阻挡层材料下铜布线的性 质，优化Cu 互连线线的工艺和结构，以改善铜互连线的电迁徙性能。 - 2 - 2003 年 MSC.Software 中国用户论文集 2.铜互连线中布线的电学模拟 2.1 模型的建立 我们对铜互连线结构进行了三维的有限元模拟。模型的剖面图见图2-1。模型底部是铜作为 热衬材料，与外界接触，铜上面是硅衬底，再上是二氧化硅材料，二氧化硅中有以铜为材料 的两个压焊点以及两者之间的一条互连线。铜互连线外包有阻挡层材料，分布在铜互连线与 二氧化硅的接触面，厚度为0.05µm。阻挡层材料分别选取了SiON、Ta 和TiN，为了同时和 前面的试验进行比较，互连线的条宽分别选取了1、2、4µm。并对铜互连线加了电流密度为 7 2 j=1×10A/cm 的电应力，电流方向为从