In-Nb复合半导体氧化物Cl2敏感特性的研究.pdfVIP

第29卷第3期 《陶瓷学报》 Vo1．29．No．3 2008年9月 J0URNAL 0FCERAM ICS Sep．2008 文章编号：1000—2278(2008)03-0272-04 In—Nb复合半导体氧化物 Cl2敏感特性的研究 赵文杰 施云波 乙3 修德滨 。 雷廷平 冯侨华 。 王立权 (1、哈尔滨理工大学应用科学学院，哈尔滨：150080； 2、哈尔滨工程大学机械工程博士后科研流动站，哈尔滨：150001； 3、哈尔滨理工大学测控技术与通信工程学院，哈尔滨：150080) 摘 要 以检测cl为 目标，采用恒温化学共沉积法合成了In—Nb复合半导体氧化物，并研究了其气体传感器的制作方法，分析了 In-Nb气敏材料的微观特性和敏感特性，探讨了气敏机理。实验证明，In—Nb材料具有良好的cl敏感特性。 关键词In20。，Nb20，气敏特性，氯气传感器 中图分类号：TP212 文献标识码：A 将600oC煅烧的In—Nb复合氧化物粉体在玛瑙 1 引 言 研钵中充分研磨，并加入质量比0．5％的H2PtC16作催 化调阻剂，再用松油醇调成浆状均匀涂在 20。陶瓷 自20世纪90年代以来 ，InO。作为新型气敏材 管电极上常温干燥 12h，在 600℃高温烧结3h。将涂 料出现成为研究热点n】，主要集中在针对 CO、H2等 有敏感材料的电极焊接在基座上封装好，老化 120h， 方面气敏特性的研究较多 ，而以cl作为检测对象 采用静态配气法进行测试。 的相关文献多为固体电解质电化学传感器[41，存在着 检测范围小、寿命短等问题 ，而 In2O。等新型半导体 3 结果与讨论 敏感材料的出现，为解决这一问题提供了可能。本文 主要研究In—Nb复合氧化物气敏特性，并对 In—Nb 3．1材料结构及表征 基复合氧化物气敏机理进行了分析。 图1为 In—Nb材料 600oC退火烧结的SEM表 征。从图中可以看出在600oC烧结温度下In-Nb材料 2 实 验 颗粒比较均匀，其颗粒大小分别约 100nm左右；采用 2_1材料合成 取摩尔比为6：l的In(NO。)。和Nb0溶于去离 子水中，加入 10wt％柠檬酸做分散剂并匀速滴加 25％氨水直至pH值为 8为止，50℃恒温搅拌 2h，得 到白色沉淀物，洗涤过滤到pH值为中性，白色沉淀 120~C低真空干燥 2h，在 600℃煅烧 3h得淡黄色 图1In—Nb材料600~0烧结的SEM表征 In—Nb氧化物粉体。 Fig．1SurfacecharacteristicbySEM ofIn-Nb 2_2器件制作及测试 sinteredat600℃ 收稿 日期 ：2008—06-28 《陶瓷学报12008年第3期 表 1In—Nb复合氧化物材料的气敏选择性 140： ． 。50ppm m 8 6 4 2 0 0 鼻