Ga在裸Si系的扩散模型及掺杂效应分析.pdfVIP

第37卷 第 11期 稀有金属材料与工程 Vo1．37， No．11 2008年 l1月 RAREME1A．L～“虹．ERIALSANDENGINEERING November2008 Ga在裸 Si系的扩散模型及掺杂效应分析 刘秀喜，王公堂 (山东师范大学，山东 济南 250014) 摘 要：依据 Ga在 Si中的扩散行为、开管扩 Ga系统的特征及扩 Ga样品的XPS、EPMA和 s的测试结果分析，提出 了Ga在裸 si系的扩散模型，并从机理上分析了Ga的掺杂效应。结果表明：Ga在裸 Si系下扩散，易产生合金点、腐 蚀坑和 “白雾”等缺陷，并造成Rs值不均匀 。扩 Ga产生的缺陷与硅片的导电类型、电阻率大小、晶向和表面光洁度 无关。 关键词：Ga；裸 Si系；扩散模型；掺杂效应 中图法分类号：TN305．4 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2008)11-2049—05 目前，P—n结制备通常采用杂质扩散法和离子注 为片温区和源温区，二者相距 80～100cm。 入法，常用 的受主杂质有 Ga、B，在高反压晶体管、 电力电子器件、Si基 GaN光 电子器件等领域中的应 Intemaldiffusiontube 用，Ga优于 B。采用开管系统，使 Ga203与 H2反应 生成气态 Ga，形成表面恒定源，Ga原子 向Si中扩散 形成P型半导体。实验证明，Ga在裸 Si系 (硅表面 无 SiO2膜)和 SiO2／Si系均能扩散，但掺杂效应和结 果有显著不同，裸 si系扩 Ga会产生严重缺陷，即在 硅表面易生成合金点、腐蚀坑、“白雾”、“白霜”等， 导致器件漏电流大、耐压水平低，但 Ga在 SiO2／Si系 扩散，就消除了上述弊端 1【J。 关于裸 si系扩 Ga产生弊病的原因，仅有简单的 图1 开管扩 Ga装置与系统 介绍¨，2】，对 Ga在裸 Si系扩散的掺杂效应的机理分 Fig．1 Schematicofdevicesystem forGadiffusioninopen—tube 析，缺乏系统深入的研究。我们长期从事开管扩 Ga 技术的应用及工艺理论方面的研究，取得了一些成果 和经验。依据实验，Ga在 Si中的扩散行为、开管扩 选取l10、111晶向的n型硅片，电阻率分别 Ga系统的特征及扩 Ga样品的测试结果，提 出了裸 Si 为 3～5、40~60、1o0～150Q．cm，单面抛光硅片作 系扩Ga模型，从机理上研究和分析了Ga的不 良掺杂 为衬底，并进行严格化学清洗处理。硅片立放在石英 效应，从理论上得到较好 的解释，明确了裸 Si系扩 舟上，再推入扩散炉的片温区，Ga源为粉状 Ga2O3， Ga产生弊端的原因，进而可找到解决问题的方法。同 装片和装源完成后，石英管两端磨 口要固牢，防止管 时，扩 Ga模型的建立及描述 ，有利于深入探讨 Ga的 路漏气，石英管 内先通 N2(氮气)排空气 。H2从源舟 扩散特性，改进扩Ga工艺，提高扩散质量。 (Ga2O3)上方通过，它作为 Ga源的反应和输运气体。 扩散全过程分为低 Ga淀积、杂质再分布和高Ga掺杂。 1 实验方法 低 Ga淀积条件：片温 1250℃，源温 850℃，H2流 开管扩 Ga装置由高温扩散炉、双磨口石英管、石 量 150mL／min，通源时间20min。热 电偶系统能严格 英舟、源舟、内扩管、热电偶测温系统、H2(氢气) 检测源温 。高温下，Ga2O3与H2发生化学反应 3【】，最 管路和 N2、(氮气)管路等组成(图 1)。扩 Ga系统分