EAM-DFB基于S参量和电路模型的特性分析.pdfVIP

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2017-08-11 发布于北京
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EAM-DFB基于S参量和电路模型的特性分析.pdf

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王世康等 :EAM-DFB 基于 S 参量和电路模型的特性分析 02 　　 ( ) 　　《激光杂志》2 008 年第 29 卷第 4 期　　　　LASERJOU RN ALVol.2 9.No .4.2008 EAM-DFB 基于 S 参量和电路模型的特性分析王世康 ,潘　炜 ,罗　斌 (西南交通大学信息科学与技术学院 ,成都　610031) ( ) 提要 :针对电吸收调制器集成分布反馈激光器 EAM-DFB 的光电混合和端口散射特征 ,提出了包含自发辐射和俄歇复合的有源等效电 ( ) 路模型 ,及其散射参量 S 参量求取模型。通过电路级模拟在不同典型参数下的 S 参量 ,研究了 EAM-DF B 的工作特性。模拟得到 EAM- DF B 的传输参量在 -25dB 至 -60dB 内 ,随频率增高而减小 ,在调制时增大 ,并反映出比直调 DFB 更大的带宽 ,而反射参量随频率增高而增大 , 结果与已有的理论和实验吻合。同时发现 ,减小自发辐射因子或增大驱动电流和限制因子 ,反射增大传输减小,但后者的传输参量减小缓慢平坦 ,对调制响应有所改善。关键词 : 分布反馈激光器 ; 电吸收型调制器 ; 集成模块 ;散射参量 ;等效电路模型中图分类号 :TN 365 　　　　文献标识码 :A 　　　　文章编号 :0253-2743(2008)04-0020-03 An alysis orp r op ert yo EAM - DF Bb yS - Par ameter sbasedon th eequ ivalentcir cuitm odel WANG Shi-kang,PANWei,LU OBin ( Schoolo In ormationScienceandTechnology,Southw estJiaotongUniver sity,Chengdu6 10031,China ) Abst r act :Aimatthecharactero photoelectr icmixingandscatteri ngo portsinelectro-absorptionmodulatorintegr ateddistr ibuted- eedbacksemiconductor laser (EAM-DFB ) ,theactiveequivalentcir cuitmodeli ncludi ngspont aneousemission .Augerrecombi nation,andmodelo cal culatingscatter ingparameter ( S- ) P arameter ise stablished.Basedonthe semodels,thecharacter istico EAM-DFBisinvestigated,bysimulatingS-Parameter oncir cuit-level ordi erent typicalparameter s.Theresultsagreewit hr eport edtheoreticalandexper imentaldata,itindicatesthattransmit t