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磁控溅射NiONiFe薄膜的磁性及XPS研究.pdf

( E 辑) 第32 卷 第4 期 SCIENCE IN CHINA ( Series E ) 2002 年8 月 磁控溅射NiO/NiFe 薄膜的磁性及XPS 研究* 于广华 柴春林 朱逢吾 赖武彦 (北京科技大学材料物理系, 北京 100083 ) (中国科学院物理研究所, 北京 100080) 摘要 用射频/直流磁控溅射制备了 Ta/NiO /Ni Fe /Ta 磁性薄膜, 并利用X 射线光 x 81 19 电子能谱仪(XPS)和振动样品磁强计(VSM)研究了NiO 不同化学状态对Ni Fe 交换耦 x 81 19 合场 Hex 及该磁性薄膜的矫顽力 Hc 的影响以及 NiO/Ni81Fe19 界面反应. 结果表明 反 应溅射中的 Ar/O2 比对 NiOx 中镍的化学状态有很大的影响, 当溅射气压为 0.57 Pa, Ar/O 为7 ︰1 时, 制备的NiO 中的x 1, 镍为+2 价, 相应的H 最大. Ar/O 比偏离7 ︰ 2 x ex 2 1 时, NiO 层中出现单质镍和+3 价的镍, 相应的H 也下降, 单质镍的出现还会增大该 x ex 磁性薄膜的矫顽力H . XPS 的分析还表明, 在NiO/NiFe 界面发生了反应 NiO + Fe = Ni c + FeO 和3NiO+2Fe = 3 Ni + Fe O . 给出了界面上存在磁性杂质的证据, 这些磁性杂质 2 3 会影响NiO/NiFe 的H 和H . ex c 关键词 NiO /NiFe 磁性杂质 交换耦合场H 矫顽力H X 射线光电子能谱(XPS) x ex c [1] 自旋阀结构的巨磁电阻薄膜被用于制作计算机硬盘读头具有广阔的应用前景 , 在该结 构中利用了反铁磁层对铁磁层的钉扎作用, 因此最近几年研究反铁磁层对铁磁层的交换偏置 已经引起了电子技术和物理领域的极大兴趣. 虽然已对各种交换偏置系统做了广泛的研究, 但到目前为止, 交换偏置机理仍不甚清楚. [2] 最早的理论模型认为 , 交换耦合场He

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