等离子体浸没注入超低能注入掺杂及研究.pdfVIP

半导体材料和工艺技术 doi：10．3969／j．issn．1003-353x．2010．z1．036 等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究 汪明刚，刘杰，杨威风，李超波，夏洋 (中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室，北京100029) 摘要：自等离子体浸没注入技术被提出以来，该技术在材料表面改性方面具有广泛的应用。 近年来该技术被用于32nm以下技术节点中的超浅结制作。与柬线离子注入技术相比，该技术注 入效率更高成本更低。设计了一套用于超浅结制作的等离子体浸没注入系统，该系统基于感应耦 合等离子体技术。用该系统进行的超浅结注入实验结果表明，注入深度可以达到10nm以内 (@l×1018／cm3)，注入陡峭度可以达到2．5nm／decade，注入离子剂量达到1×1015／cm2。 关键词：等离子体浸没注入；超浅结；感性耦合等离子体 中图分类号：TN305．3文献标识码：A 文章编号：1003．353X(2010)增刊．0129．03 PlasmaImmersionIon forU