八章固相过程与高温合成补充内容.ppt

* 陶瓷电容器的应用 工艺上采用多层结构制作方法，可以制成大容量电容器，介电常数可达20000，而且烧成温度低，在800~1000℃(对含Pb系统易达到)。利用Sol-Gel方法及化学共沉淀法，膜厚可降至15μm以下，以增大单位体积的电容量。多层电容器适合于表面安装，用于混成集成电路及印刷电路板插座。 * 透明铁电陶瓷（电光陶瓷） 陶瓷制造工艺的发展，出现了热压法，高纯超细粉末的制备法等可以控制其显微结构和晶界性质的方法，使之成为透明陶瓷。一般Al2O3、Y2O3、MgO、BeO、ThO2、Y3Al5O12/Nd等均可制成透明陶瓷。掺镧的锆钛酸铅（PLZT），既具有透明性，又具有铁电性和压电性，其光学性质与铁电性密切相关。 * PLZT透明陶瓷（电光陶瓷）的制备 PLZT陶瓷粉体应高纯，粒度要小（达0.1μm, 保证每个晶粒的化学成分尽可能相同，常采用醇盐水解法。为了获得透明度高的陶瓷，要求晶粒本身透明，小的各向异性，须排除内部气孔，通常采用通氧热压烧结法烧结成品。烧结后的制品，再经过研磨、切割、抛光成透明的PLZT陶瓷片，在PLZT陶瓷片上制成不同的电极，再组装成各种光学器件。 * 压电陶瓷 压电效应－ 1880年居里兄弟发现，在石英晶体上施加应力即有电荷释放出来（图16－5）。随后又发现，石英晶体的形状会受外加电场的作用发生微小的变化。于是，便把前者称为正压电效应，后者称为逆压电效应，两者统称为压电效应。压电效应是一种耦合效应，可以将机械能转换为电能，或者将电能变为机械能。 * 压电陶瓷（续） 陶瓷材料本不应该具有压电效应。主晶相是铁电体的陶瓷，通过外加直流电场的极化处理，各个晶粒的自发极化轴沿着外场方向取向，原来相互抵消的各个晶粒本身所固有的压电效应应变对外呈现出宏观的剩余极化，这样铁电陶瓷经极化处理后就变成了压电陶瓷。由于自发极化轴的取向不可能完全一致，压电效应比相应材料的单晶差些。 * 热释电陶瓷 热释电效应－晶体受热温度升高，由于温度的变化而导致自发极化的变化，从而在晶体的一定方向上产生表面电荷的效应。 在居里温度（当高于某一临界温度时，铁电体的自发极化消失，转变为非铁电相，这一临界温度称为居里温度Tc）附近，热电效应比较大（再看图16－3电介质材料分类示意）。 应用举例：改性的Pb(Zr,Ti)O3, PbTiO3具有好的热释电性能，已制成热释电探测器，红外地平仪，红外辐射温度计，温度传感器等。 * 半导体陶瓷 半导体陶瓷的电阻率约为10-4～107Ω·cm。在半导体的能带分布中，禁带较窄，价带中的部分电子易被激发越过禁带，进入导带成为自由电子，产生导电性。 半导体陶瓷的导电率不仅与界面势垒有关，而且与工作时的光照、温度、湿度、气氛等环境条件有关，因此可制成相应的半导体陶瓷敏感器件，如边界层电容器半导体陶瓷、电压敏陶瓷、热敏陶瓷、湿敏陶瓷和光敏陶瓷等。 * 热敏半导体陶瓷的分类 热敏陶瓷是半导体陶瓷材料中的一类。 按照电阻—温度特性热敏陶瓷可分为三大类：（1）电阻随温度升高而增大的热敏电阻称为正温度系数热敏电阻，简称PTC热敏电阻； （2）电阻随温度升高而减小的热敏电阻称为负温度系数热敏电阻，简称NTC热敏电阻； （3）电阻在某特定温度范围内急剧变化的热敏电阻，简称为CTR临界温度热敏电阻。 * PTC热敏电阻 PTC的基本特征：居里温度（图16－6）和电阻温度系数（零功率电阻值的温度系数）?T＝1/RT×dRT/dT PTC陶瓷材料－使BaTiO3半导体化，通过掺入施主杂质或将材料在还原气氛下烧结使之产生氧缺位，因而在禁带中产生施主能级。 * NTC热敏电阻 NTC半导体陶瓷一般为尖晶石结构，通式为AB2O4。以MnO为主材料，同时引入CoO, CuO, FeO等， 在高温下形成尖晶石结构 NTC热敏电阻具有灵敏度高，热惰性小，寿命长，价格便宜的优点，广泛用于测温控温、补偿、稳压、遥控、流量和流速测定，时间延缓等设备中。 * 半导体气敏陶瓷 气敏陶瓷一般都是某种类型的金属氧化物，通过掺杂或非化学计量比的改变而使其半导化。其气敏特性，大多通过待测气体在陶瓷表面吸附，产生某种化学反应（如氧化、还原反应）和表面产生电子的交换（俘获或释放电子）等作用来实现的。这种气敏现象称为表面过程。大多数与陶瓷表面氧原子（离子）的活性（结合能）密切相关 * 氧化锡气敏陶瓷 SnO2气敏陶瓷是目前应用最广泛的材料，可掺杂Pd、In、Ga、CeO2、等活性物质以提高其灵敏度。另外可添加Al2O3、Sb2O3、MgO、CaO和PbO等添加物以改善其烧结、老化及吸附等特性。大多在SnO2材料中添加少量稀土元素以改善其对某些气体的识别能力。SnO2气敏陶瓷对可燃性气体，如氢、甲烷、丙烷、乙醇、丙酮、一氧化碳、城市