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王海燕 等 : KH550 硅烷偶联剂对复合材料结构和介电性能影响 109 1
KH 550 硅烷偶联剂对复合材料结构和介电性能影响
1 1 ,2 1 3
王海燕 , 党智敏 , 武晋萍 , 施昌勇
( 1. 北京化工大学 教育部纳米材料重点实验室 , 北京 100029 ;
2 . 北京化工大学 北京市新型高分子材料制备及工艺重点实验室 , 北京 100029 ;
3 . 北京服装学院 基础部 , 北京 100029)
摘 要 : 采用 KH550 硅烷偶联剂对 Ba TiO3 粉体进
2 试 验
行了表面处理 ,用溶液混合法及热压工艺制备了 Ba
TiO / PVD F 复合材料 。通过扫描电子显微镜对复合 2 . 1 KH550 硅烷偶联剂包覆 Ba TiO 陶瓷粉体
3 3
材料形貌的分析发现偶联剂的用量对复合材料形态影 陶瓷/ 聚合物复合材料的介电性能很大程度上依
响较大 ; 用傅立叶变换红外光谱仪和 X 射线衍射分析 赖于填充粉体的尺寸 。为了同时满足嵌入式电容器对
了偶联剂用量对 Ba TiO / PVD F 复合材料微观结构影
3 高介电常数与低泄漏电流的要求 ,填充粉体适宜于选
[4 ]
响; 通过阻抗分析仪研究了复合材料的介电性能 , 发 μ μ
择的粒径在 0 . 5 ～0 . 7 m 之间 。将粒径为 0 . 7 m
现偶联剂用量对复合材料介电性能影响很大 , 当偶联 (
Ba TiO3 陶瓷粉体 山东国腾陶瓷公司 , 水热合成法制
( ) ) ( )
剂用量在 1 % 质量分数 时 ,Ba TiO3 体积分数为 40 % 备 在一定量的无水乙醇 化学纯 中超声分散 10min ,
的复合材料介电常数高达 5 1 。 然后滴入 质量 分数分别 为 0 . 5 % 、1. 0 % 、1. 5 % 、
关键词 : Ba TiO / PVD F ;复合材料 ; 硅烷偶联剂 (
3 2 . 0 % 、3 . 0 % 和 5 . 0 % 的 KH550 硅烷偶联剂 化学
中图分类号 : TM282 文献标识码 :A )
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