平行耦合双量子点分子AB干涉仪的电荷及其自旋输运.pdfVIP

物理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．1(2014) 017303 平行耦合双量子点分子A．B干涉仪的电荷及其 自旋输运冰 白继元 ) 贺泽龙 )十 杨守斌2) 1)(黑龙江工程学院电气与信息工程学院，哈尔滨 150050) 2)(哈尔滨师范大学，哈尔滨 150025) (2013年9月2日收到；2013年 10月12日收到修改稿) 利用非平衡格林函数方法，理论研究每臂中嵌有一个平行耦合双量子点分子的A—B干涉仪f平行耦合双 量子点分子A．B干涉仪)的电荷及其 自旋输运性质．无外磁场时，与每臂中嵌有一个量子点的A—B干涉仪相 比较，平行耦合双量子点分子A—B干涉仪中电子隧穿变得更加容易发生．当平行耦合双量子点分子A．B干涉 仪中引入外磁场时，能够在电导能谱中观察到一个Fano共振和一个反共振，这两种输运状态在磁场取适当数 值时能够同时消失．此外，通过调节左右两 电极间的偏压、磁通和Rashba自旋轨道相互作用，可以对体系 自 旋输运进行调控． 关键词：非平衡格林函数，量子点，A—B干涉仪，白旋输运 PACS：73．63．-b，73．23．一b，05．60．Gg DOI：10．7498／aps．63．017303 一 个量子点嵌入A—B环的一个臂中，人们发现通 引 言 过量子点的电荷输运是相干的-16J．Kobayashi等 研究人员研究了A—B干涉仪的一臂中嵌有一个量 量子点向人们展示了独特的物理性质：量 子点结构的Fano效应 [17]，首次证 明了Fano效应 子干涉效应 [112】、库仑 阻塞效应 3[14】，Aharonov— 可以通过调节相关结构参数进行调整．Ladronde Bohm(A—B1效应 5【．61，Fano效应 7【，8】和近藤效 Guevara等研究者对两个量子点被分别嵌入A—B 应 [9,10]等，这些效应可以做为新型纳米器件的物理 干涉仪的上下两臂中体系进行研究 l【8]，从中发现 基础，从而使得量子点体系具有广泛的应用前景． 电导能谱 由分别位于成键态和反键态能级位置处 耦合量子点常常被人们称之为 “人造分子”，近年来 的Breit—Winger共振和Fano共振组成，这些共振 有关耦合多量子点分子体系 电荷及其 自旋输运性 的宽度可以通过改变结构的构型进行调整．在最 质已经成为介观量子器件研究领域的一个研究热 近几年，有关量子点体系 自旋输运性质逐渐引起人 点[11--15】．由于耦合量子点体系具有更多可调参数， 们的关注，Sun等 [19]首先提出了Rashba自旋轨道 因而人们通过调节这些参数能够更加灵活地控制 相互作用能够在电极与量子点的耦合矩阵元 中产 电荷及其 自旋输运，因此理论研究耦合量子点体系 生一个与 白旋相关的相因子，并 以一个Rashba量 电荷及其 自旋输运不仅在低维物理学方面具有重 子点被嵌入～臂中A—B环结构的电子 自旋输运性 要的科学意义，而且在量子器件 的设计方面也具有 质为例进行 了讨论，通过调节磁通和 门电压可 以 实际的参考价值． 控制 自旋极化的大小和方向．Chi等研究者研究了 在有关量子点体系 电荷及其 自旋输运性质研 一 个双量子点A—B干涉仪的Fano—Rashba效应 ， 究中，A—B环结构常常被人们所提及 [16--20]．例如， 当电子通过A—B干涉仪上、下臂时，Rashba自旋轨