ABB高压大功率变频器的最新技术发展.pdfVIP

￡叁Y望’99 工业应用及引进技术的消化吸收 ABB高压大功率变频器的最新技术发展 L海铁道大学张宗糖 术的篾展动向，捧向用产挺供T埘尘司Jcf，姗’蕞刊的性能指标，最后琦述了采用高压蹙顶器扮节能避 景栖应用前景． 关键词：高压大功率变额调速系统∞犷 }，王，I 1 前言 实际上属于中压，为叙述方便，咀下统称为高压)大功率交漉调速系统基本上是晶阐管够 相控制盼系统，由于瞬侧的功书目数很差，：若被报大，为此大都需要加装静止无功补尝受 对h而这种J比’装置的晶怒管控制曲电抗嚣TCR本身的蘑价几乎和变频器褶当。因此符 注意力转移到阿榭功率困数离，砦波小、性价比高的自关断器件P朋w控制的变一直一交 变疑谪速系统是报自然的事。 1GBT(1mwtated47ale 换需要窖量可观的附加电路，还要求功爱艰大的缓冲电路，围此元件数量较多．成布较高， 柜体尺寸显得较为庞大，IGBT的闻世i=，尊燎困其快速的开关性能、控翩方便却电路简单等 ， 平为43KV,I2KA；G70女#可达6K J。 压的IGBT更为突出。而且，随着窖量的增大，其开关频率也受到限制(一般不超过l融{z 不管怎样，IGBT在新器件出现之前充兰■镘重要的角色+例如用串联的办法来试图解浃财 压不是的阔题，其代价是元件数很多f劂如4 复杂， 使得变颖器的可靠性和效车下降、戏本提高，整巾设备的尺寸孟洼减小j 2新型的开美元件／SCT Gaee 1GCT(!ntegraedCommutated 基掘f}上，号门为高压大功宰变频器面葭÷+钓功率开关，I件。它在GTO的基础上，进行重新 优化设；卜。扶匿l的坷C7’结构甜面图中可以蕾到，厮Cr具育透明的发射极和较薄的n茎 工业应用及引进技术的消化吸收 CAVD，99 匿，并且将续流二极管集成在同一个结构中．tCrCT包含了两方面e嗷术创新：t】容许快速 充放电的透明陌极设汁(即采用了鳓幻肿w5犁w附d蒯打技术；2)减小硅片厚度 进一步限制电荷储量。其结果是使触发电流减少了一个数量级，电菏存储时闻减少至t／13． 后沿拖尾电流减少近曲倍，导通压降进一步降低。 这些都是高压大功宰下的开关快速工 作所必须的。为了克服GTO非齐次开关的缺点，IGCT在敬计中{上数千个单独的电力开关 同步工作，以提赢开关性能。通常，／C,CT能在≥oqS内开断，阻断电压高达6KV。以上 元件，因此它比目前市场上的同类产品可减少，O％的功率损失，也正是这个原因，IGCT 逆变器的容量可以做刭IOOMW，很显然若采用其他器件是不切实际的。由于IGCT采用低 电感舶安装结构和门极驱动电路，所以它不需要脚ubber电路，这是它又一个突出的优点。 时由于分布电感{l超曲过电压值很小， IGCT的主要性能．特意可以用表l和 表2来进行归纳。 表t：IGCT的主要技术指标 i瞬闯的开关频率： 2啊(}k }开关关断时间： 1uS{ 【d／／dt； 4KA／nS| }dv／dt： l岱v20KV．hS f交流阻新电压： 6KV {直流阻断电压： 3．9KV 围l 表五GTO、IGBT、IGCT开关性船比较 V_ 阳}女电压、 4