SI-GaAS材料微区均匀性对门电路器件性能影响.pdfVIP

实验表明，15％硫氰酸铵朋堵庄l～3mI时，显色反麻迅述．且吸光度稳定。故本文选用2ml。 3,6离子缔台物的稳定性 实验表明，硫酸介质中加风阿拉伯树胶， ZiSCN～孔雀绿三元离子缔合物的增稳效果最好， 在该介质中至少稳定80分钟。而往无阿拉伯树胶的情况F，划5分钟便产生浑浊，故本文选放置 时闻为lO分钟。 37干扰离子的消除 实验表明，采用本法测定化学镀镍溶液中的微封锌时。Fe的干扰可用抗坏血酸去除；Sn、Al、 Ti等元素的干扰可用氟化铵击除：Cu、Cd元素的干扰可用硫代硫酸钠击除；Ni元素的干扰，加L 一半胱氨酸和采用底液作参比的方法抵消。 3．8加标回收实验 在已知含量的样品中加入标准锌溶液，测得实际龠锌罐，计算其同收率均在98％～102％之闯。 结果如上表。 4． 结束语 采用本万法测定化学镀镍溶液中的微鼙锌，准确度高。灵敏度好。本方法采用直接光度法，不 需分离、富集，它相对于般硫腙法而言．既避免了使州人艟的有机试剂，又省去了萃取步骤，加快 了分析进度：相对于原子吸收法而言．删仪器价格便宜，操作方硬。 参考文献(略) SI．GaAs材料徽区均匀性对门电路器件性能影响 信息产业部电子第四1～^研究所汝琼娜李光平李静何秀坤 摘要：随着太规摸集成电路集成度的迅速提高，器件l：艺对材料的性能提出了更高的要求，过左的 常规参数测量不足以表征GaAs材料质封．材料的微区均匀性已成为限制集成电路发展的重要因 素。本文采用了不同的测量手段结合fJ电路器件【．艺，研究了SI．GaAs衬底材料的微区均匀性对器 件性能的影响。 由现有的实验结果可看出材料和器什参数之间有一定的对应笑系，根据袁1的测试结果可知，Bl 样品的质量不够好，碳含量较高，迁移率低，在1／4晶片上u、p宏观不均匀性为7％和10％，另一I／4 晶片的PL谱不均匀为9J8％，在晶片这两个区域内，材料的均匀性较女f，而Vth在这个区域内分布 范围为400．-．600mV(见图1)；这说明了在局部区域材料的均匀性好，对应的闽值电压分布也较均匀， 但从整个品片进行分析．PL谱不均匀性高达56．6％．而Vth糍片分布范闸为200—1200mv’田此．Vth B3样品迁移率为6500cm3／V．s，碳食蛙、EL2浓度及萁微R分布都在止常范同，PL谱不均匀性为I5％， 材$}质量明显优丁B1样晶，所做器忭捌域结果地表3、器忭的!VthC平均值为1078mV,格片分布范 3n 准偏差为10ms／ram．相对标准偏差为6％：器件性能明显得到提高。(图和表从略) GaAs材料表面钝化技术 一 信息J产业鄯电子第四十，‘研究所任墩胜严如岳 攀雨辰 砷化镓(OnAs)具有高的电子迁移率平¨禁带宽度，是微波、毫米波器件更为理想的材料。但由于 因此表 GaAs是二元体系，缺陷模式很复杂，表面氧化膜也有Ga203、As203、As205等多种成份． 面态密度极高，使表面费米能级钉扎在禁带中部，不能反型，同时表面复合速度也较高，这些都限 制了器件性能的提高。因此．如能对GaAs表面进行有效的钝化处理，骄低表面态密度和复台速度， 将有助子器件性能的提高。 硫化台物处理后，表面态密度和复台速度急剧下降，使器件性能明显提高。此后．对GaAs表面的 硫钝化研究逐渐热起来-近年来文献报道数量激增，国内只有复恩大学等单位开展了初步研究。纵 观国内外研究工作，所埘的钝化方法很多，有涂覆法、湿化学浸泡法及干法处理等多种。钝化用的 及激光器等器件性能有明显提高。但目前研究仍存在一些问题，主要是S钝化后GaAs表面的长期 稳定性较差，放置数小时后即被氧化，而且钝化机理还不清楚。 本文就GaAs表面的化学钝他处理方法：及其对表面微观化学物理特性的影响、和对GaAs器 件性能的影响进行了综述，并介绑了我”J的研究结果。 氨基黄酸盐镀镍溶液的分析 信息产业部电子第二二十九研究所扬玉萍 氮性缓冲溶液中，消除Fe3+等金属杂质离子的干扰，以紫臊酸铵为指示剂，用EDT