Si双晶基片上制备的高温超导Josephson结及特性.pdfVIP

第五届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议论文集 Si双晶基片上制备的高温超导Josephson结及其特性’ 肇汉宏10王天生¨魏艳君1田永君1郑东宁2陈烈2 1 (燕山大学电气工程学院．河北·秦皇岛066004) 2(中盈科学醢钉理研究所田素超导实t宣，北京100080) Si双晶基片上制备高TeYBCODC-SQUIDs工艺及其特性．实验中采 E摘要】本文研究了10x10mm2 用脉冲擞光沉积技术在24。siooo)双晶基片上原位制各YSZ、coq隔离层、YBCO超导薄膜及非超 状的I鄙}嘴蛀． 关t词：硅双晶 高温超导 Josephson结 l引言 能够外延生长YBCO高温超导薄膜的基片有根多种，通常根据超导薄膜应用于场 合不同需要采用不同的基片材料，由于Si的微波损耗低、热传导率高，而且si片制备 技术简单，价格便宜，易与半导体器件兼容，可应用于高速数字电路、高额探测器以及 混频器等器件，因此si基片上外延生长YBCO超导薄膜具有其独特的优势。与通常的 氧化物基片材料相比，由于YBCO薄膜与基片之间发生化学反应和互扩散，使得直接 在si基片上生长的YBCO薄膜的超导性能变坏．因此不可舷直接在si基片上制备出高 质量的YBCO超导薄膜。为了解决这一问题，需要在si片上首先外延生长一层隔离层． 在所有隔离材料当中，钇稳定氧化锆(YSZ)是一种较好的选择．因为它不但能外廷生 长在自然氧化的si片上，而且YBCO也能在YSZ上实现外延生长Il。】．但是在YSZ隔 离层上生长YBCO薄膜时．在YBCO／YSZ的界面处会发生化学反应形成B“Er03，且 它们的晶格失配比较大(6％)p】，产生时效现象，其临界电流密度随时间迅速下降． 解决该问题的方法是在YSZ隔离层上淀积第二层Ce02隔离层，因为Ce02与YBCO的 晶格匹配比较好．而且与YBCO不发生化学反应．这样在YSZ／Ce02双隔离层si片上 制备的YBCO超导薄膜具有良好的超导特性和稳定性．另一方面，由于YBCO薄膜与 Si基片的热膨胀系数差异较大，当YBCO薄膜厚度超过一定临界值(40rim)时，薄膜 表面会产生裂纹，薄膜的临界电流密度急剧下降，妨碍了si片上生长的YBCO薄膜的 实际应用．为适当提高YBCO薄膜的临界厚度，可以在YBCO薄膜上再沉积一层非超 导的YBCO钝化层，其电阻率低．且与YBCO的晶格匹配良好，可使YBCO超导薄 膜的临界犀度提高到70rim而不影响其超导特性[41。因此si基片上制备的理想多层超导 薄膜是YBCO*,,YBCOI Ce02／YSZ／Si系统。 另外由于YBCO超导薄膜厚度太小，在制备台阶结时，台阶高度也较小，而且控 制YBCO薄膜厚度与台阶高度之比困难，所以台阶结的特性具有很大的分散性，因此 采用si取晶基片制备双晶结更为容易。因为整个多层膜系统可以在si双晶上实现一次 性原位生长四。所制备的颓晶结特性主要取决于双晶晶界质量，这一点可由高质量的单 晶Si以及先进的si双晶的制造技术加以保障。本文探索了lOxlomm2Si双品基片上双 晶结的制备工艺及其特性。 2实验过程 ‘盈家留学回眉人员基金瓷助项目 本文于2000年6胃21日收到． 鹋 漆汉宏：Si双晶基片上制备的高温超导．Jose口hSOn结及其特性 我们采用改进的偏轴脉冲激光沉积技术旧在si(100)双晶基片上原位沉积多层膜样 品．实验中采用KrF准分子激光器，波长为248nm，脉冲频率为10Hz，激光能量密度 2x240 为2J／cm2．首先将自然氧化的10x10mm2 Si(1001双晶基片安装在真空室内的电阻 加热墨上，在5xi0。Pa压力以下加热超过1h，将基片温度力曩热至760℃的沉积温度； 然后将温度降至720℃，氧压升到3xlOo Pa时．在YSZ层上原位沉积第二层Ce02隔离 Pa 氧压下，在YSZ／Ce02／Si上原位沉积YBCO超导薄膜：再在10’Pa氧压下将样品温度 降低为500℃，在20