Nd掺杂Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15陶瓷的电性能.pdfVIP

维普资讯 第 1O卷第 2期 扬州大学学报 (自然科学版) Vo1．10No．2 2007年 5月 JournalofYangzhouUniversity (NaturalScienceEdition) M ay 2007 Nd掺杂 Bi4Ti3O12一SrBi4Ti40l5陶瓷的电性能 顾世浦，王 伟，陈小兵，何军辉 (扬州大学 物理科学与技术学院，江苏 扬州 225002) 摘 要 ：Nd等价取代 Bi4Ti3Ol2一SrBi4Ti4Ol5的 A位 ，形成 SrBi8--xNdTi7O27(z一0．OO～1．50)共生陶瓷．结 果表明：Nd掺杂未改变晶体的共生结构，样品剩余极化 (2P。)在掺杂量 z一0．50时取得极大值．为 32．3× 1O C ·m-，比未掺杂时增加 了7O ．而矫顽场则从未掺杂时的 90．5×10。V ·m 上升 为 103× 1OsV ·m～．Nd掺杂使得样品的居里温度 (tc)有所下降，z一0．50时的tc为 538℃．掺杂使得样品的压 电性能明显改善 ，压 电系数 d。。从未掺杂时的6pC ·N 增加到 z一0．50时的 11pC ·N-。． 关键词 ：掺杂 ；剩余极化 ；居里温度 ；压 电系数 中图分类号 ：O482．54；TM 271 文献标识码 ：A 文章编号：。1007—824X(2oo7)o2—0023—04 铋层状结构铁 电材料(bismuthlayer—structuredferroelectrics，BISFs)因其具有 良好的抗疲劳性 能和高的居里温度等而引起广泛关注，成为非易失性铁 电存储器和无铅压 电材料的热 门候选材 料．D-z]BLSFs的化学通式为(BiO) (Am--IBO。+。)卜，其中A一般为+1，+2或+3价离子，B为 +3，+4或+5价离子，rn为类钙钛矿层 中氧八面体BO 的个数，类钙钛矿层与Bi0 层交替排列． 但 BLSFs材料在剩余极化 (2尸r)、热稳定性、矫顽场及压电活性等方面还不能满足实际应用的要求． 近年来研究发现，La系元素掺杂BLSFs能显著提高材料的铁电性能E3-4]，而组构共生结构也是一种 提高材料性能的方法[5]．ZHUJun等人[6]报道 了用 La掺杂Bi。Ti。0l2一SrBi。Ti。Ol5(BIT—SBTi)陶瓷的 铁 电和介 电结果，发现 2尸r增大了近 60 ，矫顽场 E 略有增加．IRIE等人[7]报道 了Nd掺杂 Bi。Ti。0，取向薄膜 ，样品的2尸r和 d。。均显著增加 ，而Nd掺杂BIT—SBTi的电性能尚未见报道．在本文 中，笔者拟探讨 Nd掺杂BIT—SBTi陶瓷的铁电、介 电和压电性能． 1 样品制备与测量 用 固相烧结工艺制备 SrBi8--xNdTiO (z一0．00～1．50)陶瓷样 品．先将高纯 SrC0。，Bi0。 (硼(Bi)过量 10 )，Ti0 ，NdO。粉末按化学计量配比混合 ，球磨 24h后在 800℃下预合成 8h，再充 分研磨，压成直径为 12mm，厚约为 1．0mm的圆片，在 1170--1190C下烧结 4h． 用 x射线衍射仪 (M03XHF22型，Cu靶 ，=0．154056nm，P一40kV×40mA)对样 品结构进行 了分析．将样 品分别磨至 0．1～ 0．2mm和 0．5mm左右，抛光后制成银 电极．用铁电性能测试仪 (RT—PrecisionLC)测量样 品在室温下的铁电性能，用低频阻抗分析仪 (HP一4192A)测量不同频率下样 品的介 电常数随温度的变化．用准静态 d。。测量仪 (ZJ一3A，中国科学院声学研究所)测量样 品的压 电 系数． 2 结果与讨论 图1为SrBi8--xNdTiO (z一0．00～1．50)陶瓷样品的x射线衍射谱．从图中可见，所有掺杂样 收稿 日期 ：2006—11—08 基金项 目：国家 自然科学基金资助项 目；江苏省 自然科学基金资助项 目(BK2005052) * 联 系人 ，E—mail：jhhe@yzu．edu．ca