NiZn铁氧体薄膜制备技术的研究进展.pdfVIP

维普资讯 NiZn铁氧体薄膜制备技术的研究进展 ／聂小亮等 ·81 · NiZn铁氧体薄膜制备技术的研究进展 聂小亮，兰中文，孙 科，余 忠 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054) 摘要 综述 了近 1O年来国内外NiZn铁氧体薄膜制备技术的研究进展，并对其发展进行了展望。其中，溅射、 喷雾热分解、脉冲激光沉积等技术得到了有效应用；而对一些新的工艺方法，如溶胶一凝胶法、超声波增强化学镀技术 等也进行 了深入的研究。 关键词 NiZn铁氧体薄膜 成膜技术 开发应用 ResearchDevelopmentonDepositionTechniquesofNiZnFerriteThinFilms NIE Xiaoliang，LAN Zhongwen，SUN Ke，YU Zhong (StateKeyLaboratoryofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices，UniversityofElectronic ScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054) Abstract Inthiswork，advancesinresearchondepositionofNiZnferritethinfilmsarereviewedindetail．A numberofdepo sitiontechniquesofNiZnferritethinfilmsarenow available，suchassputtering，spraypyrolysisdepo— sition (SPD)，pulsedlaserdeposition (PLD)，andsomenovelgrowthtechnologies，includingsol—gel，andsoon,Inthe end，theorientationoftechnologicaldevelopmentofthinfilmsispointedout． Keywords NiZnferritethinfilms，depositiontechnology，developmentandapplication 为1．1Pa，氧分压为0．11Pa时采用交替溅射法调整不同的溅射 0 引言 时间比来制备不同成分的薄膜。印度孟买技术研究院物理系、 NiZn铁氧体材料由于其高电阻率、高居里温度、低温度系 电子学先进研究中心、冶金工程与材料科学系等单位用射频溅 数、高频性能良好等优点[1]，在变压器、磁记录材料、高频电感磁 射法(RFsputtering)在 Si(100)基片上沉积了纳米晶NiZn铁氧 芯、微波材料等应用领域 占有十分重要的地位。随着无线通讯 体薄膜[“]。研究表明，淬火温度升高，磁化强度呈单调增加的 科技的进一步发展，电子器件的小型化趋势越来越明显，薄膜材 趋势；而矫顽力 Hc则呈先降低后增加的趋势，并在淬火温度为 料将起着不可替代的作用，如单片微波集成电路[2]、灵敏传感 400℃时有一最小值 1．11kA／m。Hc的变化可用薄膜缺陷的存 器、准微波器件[3“]、高密度垂直记录[5等。如今，为 了提高 在、阳离子重新分布以及晶粒生长来解释。而TEM研究表明： 当薄膜从不淬火到 800~C淬火变化时，其晶粒尺寸在 3～15rim NiZn铁氧体的各项性能和制备新的器件，国内外各大高校研