以单晶为内包层材料双包层光纤基模特性分析.pdfVIP

以单晶为内包层材料的双包层光纤基模特性分析木 张姥萍谭志红 (兰州大学信息科学与工程学院．兰州730000) 摘要：本文研究了以单轴晶体为内包层，且晶体光轴沿光纤轴线(Z轴)方向的双包层 光纤的传输特性．给出了三个区域中电磁场满足的波动方程及其解．得出了矢量模的精确 特征方程。重点研究了晶体主轴折射率比km几何参数s、光学参数R对HEIt模色散和截 止特性的影响。研究结果发现，晶体主轴折射率比k，对H El。模的传输和截止特性有显著 影响。本文的研究结果对利用该类双包层光纤设计新型无源光器件具有重要的参考价值。 关键词：单轴晶体双包层光纤色敷截止 1引言 最引人注目的双包层光纤应是w型色散平坦光纤“”。· 为了使双包层光纤 获得更为广泛的应用，尤其是在设计各种不同性能的新型无源光器件方面，文献 【4]研究了4种不同折射率分布的多包层光纤的传输特性。文献【5】中提出了另一 类双包层光纤。本文首次研究了以单轴晶体为内包层，且晶体光轴沿光纤轴线(z 轴)方向的双包层光纤，得出了矢量模的精确特征方程．与上述各参考文献提出 的双包层光纤相比最大的特点是引入了晶体主轴折射率比kcI参数，研究发现该 参数对此类双包层光纤的传输、截止、色散特性有明显影响。所以可通过调整参 数k。【优化双包层光纤的各种特性，为设计新型的无源光器件奠定基础- 2理论分析 如图l所示，光纤纤芯的折射率为nI，半径为8，外包层(或外部环境)的折 射率为113，两者均为各向同性材料。内包层为各向异性单轴晶体，外半径为b， 当选取晶体光轴与Z坐标重合时，三个主轴折射率分别为n2x’n2，、n2：，它们满足： “2x=n2。≠n2：。三个区域内电场和磁场的纵向场分量分别满足如下波动方程： 『(V，2+女2H．2一P2)巳=0 【(V．。+女2H12一P2)t=o ·高等学校骨干教师资助计划璜目(200065号)和甘肃省自然科学基金戒指4-055-Y)资助项目 卜z+k2t／。2％t／z。：2佩：一o (2) 【(V，2+女2～2一∥2)^：=0 ，● 2 2 2 V+ n 一 IIO (3) 2 2 2 2 + = ，H、KV 七七 ” 一 疗疗 k№ O 其中112t=n2。=112”定义参量： U=a霹而j．w：b母j唔 矿=ak厢． _●___。______________一 Q=6√卢2-k2H：，2 Profileofadouble P=6归再 Fig．1 k：导．s：m，。：1，s ；…laddeteing，。fldefbetinewidt“ H“ 且设定nI大于n3和n2t，得方程(1)、(2)、(3)的解为： 刖 (r(a) (4) 引 圳。川 叫l；}∥∥ (a，6，p)．砌2f) (5a) ％怫务∥ (a，6，，切2，) (5b) 蝴跏吲渺 ⅢⅢ，强胀咖咖州％畅咖坳跏炒炒％跏协舯驴驴 (rb) (6) 叫雩}一一 7、G’、H’为待定常数，Jl