P型透明导电SrCu2O2薄膜电学性能的研究进展.pdfVIP

维普资讯 · 322 · 材料导报 2007年 11月第21卷专辑Ⅸ P型透明导电SrCu2O2薄膜 电学性能的研究进展 高 岭，方 亮，董建新，彭丽萍，陈 勇，汪立文 (重庆大学数理学院应用物理系，重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室，重庆 400044) 摘要 SrCuz02是一种新型可掺杂为P型导电的直接带隙透明氧化物半导体，其沉积温度低，基于p-SrCuz02 和n-ZnO薄膜已经成功制备出异质结透明近紫外发光二极管，预示着其广阔的应用前景。对SrCu202的能带结构进 行 了详细说明，分析了P型TCO的导电机理，并对影响SrCu202电学性能的因素及如何提高其导电性能进行了讨论。 关键词 SrCu2o2 透明导电膜 带隙 P型半导体 RecentAdvancesinElectricalPropertiesofp-SrCu202 TransparentConductiveOxidesFilms GAOLing，FANGLiang，DONGJianxin，PENGLipingCHEN Yong，WANGLiwen (DepartmentofAppliedPhysics．TheKeyLaboratoryofOptoelectronicTechnologyandSystem Ministryof Education，ChongqingUniversity，Chongqing400044) Abstract SrCuz02isanewkindofp-typeTCOwithalargedirectbandgapandcanbepreparedatlowtem— peratur~Basedonp-SrCuz02andn-ZnOfilms，hetero-junctionstransparentnear-UVLEDshavebeensuccessfullyde— veloped，indicatingitswideapplicationprospect．Inthispaper，thebandstructureofSrCu202andtheconductingmecha— nism ofp-TCO areanalyzedindetail．FactorsaffectingelectricalpropertiesofSrCuzO2andhow toimproveitsperform— ancearediscussed、 Keywords SrCu202，transparentconduct{vefilm，bandgap，p-typesemiconductor 得了很大的进展，如p-SrCuz02和n-ZnO己成功制备出异质结 0 前言 透明近紫外发光二极管rl，p-ZnRhzO4和 n-ZnO组成的异质 透明导电氧化物 (TCO)因在可见光范围内具有 良好的透 结 ，一些新 的透 明器件如透 明的 pn结 、UV-LE[$ 、 光性及导电性 ，已被广泛应用于光电子器件，如平面液晶显示 FETE” ]等也陆续出现。P型铜铁矿系含 Cu化合物和层状结 (LCD)、电致发光显示 (ELD)、电致彩色显示 (ECD)、太阳能电 构氧硫族化合物虽然具有优异的光电性能，但其大多数是间接 池透明电极r1]。目前投入实际应用的透明导电膜都是 n型的， 带隙半导体，沉积温度较高 (700℃左右)，限制了在多层膜结构 在微电子和光电子器件以及电路的应用中只能作为无源器件， 中的应用r1]，而三元氧化物 SrCuzO2为直接带隙(约3．3eV)，