溶胶-凝胶法制备SrBi4-xLaxTi4O15铁电薄膜和其性能研究.pdfVIP

电子显微学报J．Chin．Elec忙．Miero∞．Soc 25(增刊)：97—982006年 及其性能研究 周卫东1，孙慧2，陈一I-兵2。 (扬州戈学1．测试中o，2．物理科学与技术学院，江苏扬州225002) 用于铁电随机存储器(FeRAMs)的铁电薄膜，要二步，将醋酸铋、醋酸锶(醋酸镧)的醋酸溶液与钛 求与现有的半导体工艺兼容、大剩余极化(2P。)和酸丁酯混合加热搅拌。第三步，用正丙醇调至一定 优良的抗疲劳性能等。层状钙钛矿结构铁电材料 浓度，再加人适量乙酰丙酮作为稳定剂。经过滤后 (bismuth ferroelectncs 得到金黄色澄清透明溶液。 layer-structuredBLSFs)，由于其 较好的抗疲劳性能，成为目前铁电存储器应用研究 取上述溶液以3 的主要材料。其化学通式为(耽02)“(A。．。 盘上烘烤2rain，再在氧气氛中750℃下退火，并反复 B。q。+，)“，其中A一般为12配位的1、2、3价离 甩膜直至预定的厚度，最后在750℃下退火，形成晶 子，B为6配位的3、4、5价离子，m为类钙钛矿层中 ‘ 化薄膜，其工艺流程图如图1所示。 氧八面体B06的个数，其中类钙钛矿层与Bi：02层 交替排列。在铋系层状钙钛矿铁电体材料中， SrBi：R仉具有较好的抗疲劳性能，但其剩余极化 较低，沉积温度较高；BL,Ti，O。具有较大的剩余极化 强度和较低的沉积温度，但其抗疲劳性能较差。 重 复 SrBhTLO．，(SBTi)也是典型的铋层钙钛矿结构铁电 数 材料，Irie等研究发现。SBTi单晶在60kV／em的电场 次 下，沿a(b)方向的剩余极化(2P。)达到58pC·cm～。 Zhang等_日{脉冲激光溅射法制备了SBTi铁电薄膜， 发现其具有较好的搞疲劳性能(经10“次极化反转 2P，几乎无变化)，但不足之处是剩余极化与单晶相 比大大降低。 h掺杂Bi4Ti，O。可提高材料的剩余极化2P，， 图1薄膜制备流程图。 同时也有效地改善了其疲劳性能。我们以前的工作 Ti40。陶瓷的铁电性能有极大地 表明，h掺杂SrBh 0．154056 nm，P=40kV×40ma)对样品结构进行了 提高，当掺杂量为0．25时2P。达最大值，由于将铁 电材料必须以薄膜形式应用于非易失性铁电存储 样品的表面和截面形貌，通过断面测量薄膜的厚度。 器，所以在本文中，我们用溶胶(凝胶法制备了性能 薄膜表面真空溅射面积为3．14×10一co的Pt电 优良的SrBi4．，La。吼O．5(SBLTi-*，*=0，00，O．25)铁 极后，用铁电测量仪Rt66测量了材料的铁电性能。 电薄膜，并对其结构及性能进行了测试分析。 2结果与讨论 1实验 利用溶胶(凝胶法制备了SrBi,一，La，nO。 (SBLTi．#，*=0．00，O．25)铁电薄膜，制备前驱体溶