RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变现象.pdfVIP

维普资讯 第 33卷 第 l2期 V01．33 NO．12 2007年 l2月 Dec． 2007 ·85 · RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变现象 钟庆东 ，王艳珍 ，李红蕊 ，M．Rohwerder，M．Strattman (1．上海大学材料科学与工程学院，上海200072；2．马普钢铁研究所，杜塞尔多夫40237) 摘 要：为了了解 RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变规律，采用 电位一电容法结合Mott—Schottky分析技术 研究了室温硫化 (RTV)涂膜在质量分数为 5 的硫酸钠溶液 中的导电行为。研究发现 ，RTV涂膜表现为极弱的P 型半导体特征，电子受体密度 N 约为 10”m～。随着浸泡时间的延长，RTV涂膜的导电行为从初期的P型半导 体转变为绝缘体，RTV涂膜的空间电荷层 电容 c 变化不大。随着测试频率的增加，RTV涂膜的C 则逐渐减小。 这一现象对 RTV涂料的应用有一定指导意义 。 关键词 ：电位一电容法 ；Mott—Schottky分析；RTV涂膜；半导体转变 ；P型；n型 中图分类号 ：TG174．4 文献标志码：A 文章编号 ：1003—6520(2007)12—0085—06 SemiconductingTransformationPhenomenaofRTV CoatingintheElectrolyte 高 电 ZHONG Qing—dong ，WANG Yan—zhen ，L1Hong—rui，M．Rohwerder ，M ．Strattman a (1．SchoolofMaterialsScienceandEngineering，ShanghaiUniversity，Shanghai200072，China； 压 E 2．M arx—Planck—InstituteforIronResearch，Dusseldorf40237．Germany) 技 Abstract：Inordertorealizethemechanism ofsemiconducting transformationofRTV coatingintheelectrolyte， g 术_c Room temperaturevulcanized(RTV)siliconerubbercoatingwasaneffectivewayofpreventingpollutionflashover forinsulatorusedinextrahighvoltagegridbecauseofitsrigidity，adhesion，resistance，andhavinggoodperform— anceofhydrophobicandhydrophobictransmission．Onthebasisofpreviousstudies，anovelsemiconductingbehav— iorofRTV coatingwasproposed．ThispaperstudiedthesemiconductingtransformationphenomenaofRTV coating intheelectrolyte．Thepotential—capacitancemethod，combiningwith theMott—Schottkyanalysis，wasutilized to studyconductingbehaviorofRTV coatingin5 Na2SO4soluti