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36 2 Vol. 36 No. 2
第 卷 第 期 发 光 学 报
2015 2 Feb． ，2015
年 月 CHINESE JOUＲNAL OF LUMINESCENCE
文章编号:1000-7032 (2015)02-0213-06
双有源层结构掺硅氧化锌薄膜晶体管的电特性
1 1 ，2 * 3
， ，
莫淑芬 刘玉荣 刘 远
(1． ， 510640 ;
华南理工大学电子与信息学院 广东广州
2 ． ， 510640 ;
华南理工大学国家移动超声探测工程技术研究中心 广东广州
3 ． ， 510610)
工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室 广东广州
摘要: (ZnO-TFT) (I )， (I / I )，
为降低氧化锌薄膜晶体管 的关态电流 off 提高开关电流比 on off 采用磁控溅射法制
(SZO-TFT) SZO / ZnO TFT ， Si SZO
备掺硅氧化锌薄膜晶体管 和 双层有源层结构的 器件 研究了 含量对 薄膜透
SZO-TFT ， TFT 。 ZnO-TFT ，SZO-
光性和 电性能的影响 比较了单层与双层有源层结构 器件的电特性 与 相比
TFT I 2 ， 1． 5 × 10 － 12 A ;I / I ， 7 ． 97 × 106 。 SZO / ZnO
的 低 个数量级 最低达 高两个数量级 最高达 而 双有源
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