非金属材料专业毕业设计（论文）外文翻译·.docVIP

外 文 资 料 译 文 PECVD法在低阻P型硅上沉积化学计量氮化 硅的高质量表面钝化作用 Jan Schmidt,Mark Kerr 摘要 通过直接式高频PECVD在低阻(1Ωcm)P型硅太阳能电池片基体沉积具有表面钝化性能的氮化硅薄膜一直被研究。反应气体为氨气与硅烷和氮气的混合气体。为了找到氮化硅的最佳沉积参数，测试了不同沉积条件下的勺子寿命和结构。优化的沉积参数导致出色的低表面复合速率小于12cm/s，我们发现最低的表面复合速率是化学计量的氮化硅薄膜，此时折射率为1.9。在以前研究中同样低的表面复合速率只有用富硅氮化硅薄膜能够获得。我们得到的氮化硅薄膜钝化行为根本不同点归因于反应气体中加入的氮。 关键词：氮化硅；表面钝化；PECVD；硅；太阳能电池 1、绪论 近年，通过PECVD低温(400℃） 2、实验过程 利用载流子测试系统检测在400μm厚、表面晶向为（100）的1Ωcm 抛光的P型区溶硅片上沉积的氮化硅薄膜钝化行为。在经过超声波清洗的硅片上双面对称沉积厚度为约60nm的氮化硅薄膜。这种测试系统已被证明能够极其灵敏地检测因为表面复合速度的变化导致的有效载流子寿命变动【3】。氮化硅薄膜是由可用于商业的平板式反应器（Oxford等离子体技术）制备，反应气体为氨气与硅烷/氮气（4.5%硅烷，95.5%氮气）的混合气体。与纯硅烷对比硅烷与氮气的混合气体更加的安全当他直接与空气接触时不易燃烧。为了避免在等离子体沉积时离子轰击硅片表面，采用了高的激发频率（13.56）远大于等离子体的移动频率。样品的有效载流子寿命采用接触式电感耦合光电导仪（辛顿咨询，WCT100），可以进行瞬态光电导衰减（PCD）和准稳态光电导（QSSPC）测量【8】。波长依赖于氮化硅薄膜的折射率n和消光系数k通过薄膜测试光谱仪F20测试的反射数据计算得来。此外，有一些薄膜通过椭偏仪进行测量。特定λ下的n，k相互依存关系通过椭偏仪测量发现能够较好地吻合反射率测量结果。 3、等离子体化学气相沉积参数的优化 这次研究的PECVD不同参数是基体温度，气体压力，离子源功率，气体流速和硅烷/氮气与氨气流量的比[SiH4:N2]/[NH3].图1显示了两个最重要参数的影响：沉积温度和气体流量比。图1还涵盖了一些氮化硅薄膜在波长630nm下的折射率，由反射率测量得出。有效少子寿命通过PCD方法测量。在本次实验中NH3流速固定为50sccm，压力为0.2托，离子源功率为100W。当离子功率不认为对表面钝化质量产生影响时，发现减少压力能够增加少子寿命因此，我们使用可调整的最低压力在图1中。注意到有效少子寿命同样依赖于气体流量比是很重要从在图1显示的，还有一个NH3流量为100sccm，表明氮化硅沉积的关键参数事实上是气体流量比而不是实际流速。从图1还能看出，存在一个最佳气体流量比，位于4～7，决定于沉积温度。最佳气体流量比和最大有效少子寿命随着沉积温度增加。在本次研究中使用的是最高沉积温度（400℃），有效梢子寿命值为900μs被获得在最佳的气体流量比。对应着一个非常低的表面复合速度SRV10cm/s,因此，本次所作的氮化硅薄膜表面钝化优化工作相当于迄今报告的最好的氮化硅钝化方案【3-6】。我们优化的氮化硅薄膜和那些调查的参考对象主要的不同之处在于，他们接近化学计量（表示为折射率1.9）而不是富硅的（折射率2.2).我们得到的氮化硅薄膜钝化行为的根本不同之处好像是由于在反应气体中加入了氮气。注意到图1中的富硅薄膜折射率为2.1时也具有相对优异的表面钝化质量是很重要的。相应样品的有效载流子寿命为450μs意味着对于多数应用的太阳能电池具有充分高的表面钝化效果（SRV30cm/s)所做的相同的优化实验在0.3Ωcm区溶P型硅上进行，具有相同的最佳沉积参数。 图 1.沉积氮化硅温度和硅烷/氮气与氨气；流量比对有效载流子寿命的影响。展示了一些样品的折射率n。 4、有效表面复合速度对注入水平的依赖 图2显示了体注入水平n对个氮化硅钝化的样品与1Ωcm P型硅片热氧化后的表面复合速率的对比。氮化硅薄膜沉积选用最佳的PECVD优化工艺参数。二氧化硅在1100℃氧气/三氯乙酸氛围下生成，然后在400℃的混合气体（5%H2，95%Ar）氛围下退火30min来改善钝化质量。有效表面复合速率被测定通过有效少子寿命测量使用的QSSPC技术【8，9】具有的实际体寿命为1.6ms。考虑由于不确定的假设的体寿命引起的误差，我们也计算了表面复合速度的不确定范围，表示为误差线在图2中。对于氧化样品，误差线比符号尺寸小因此被忽略不计。从图2可以看出通过优化工艺制备的氮化硅薄膜的表面复合速率比通过二氧化硅钝化的样品差很多。在Si/SiO界面上表面复合速率从注入水平为5×1015cm-3时的最小28cm/s增加到注入