非金属材料专业毕业设计（论文）外文翻译-用于光伏应用的多晶硅的晶体生长.docVIP

用于光伏应用的多晶硅的晶体生长 摘要 浇铸多晶硅被广泛应用于光伏制造业。为了控制诸如晶界、副晶界以及位错等延伸缺陷的形成，在硅锭的浇铸过程中，一个达到高的太阳能电池效率的关键议题是获得最佳的温度曲线。数值模拟对于帮助理解和描述在熔炉生长中的温度分布是一个强有力的工具，并且它可以裁剪出一个获得缺陷最小化的高质量硅锭的生长条件。铸锭炉的两个主要类型，定向凝固系统和热交换法系统，将会在热领域、晶体质量和相关的数值模拟等方面进行对比。 关键词：1.计算机模拟；2.铸造过程；3太阳能电池。 1.介绍 硅在元素周期表中是IVA族的第二号元素，并且在25℃带隙Eg为1.12eV的半导体。众所周知硅是地壳中含量（按质量）第二大的元素，在占有统治地位的光电级的半导体材料中硅都是以单质晶体存在的。超过90%的商业光电模块是由晶体硅制造而成，而这其中大多数的份额又由多晶硅占据。用于生产多晶硅锭（multi-或mc-Si）的铸造方法由于其拥有广阔的原料空间，更低的制造成本，更高的产量以及与CZ生长【1】相比更简单的加工过程和设备等优势，因而其拥有更大的硅光电市场。与单晶硅片相比，用于多晶硅片生产的电池的主要诟病在于其较低的光电转换效率，尽管成本优势仍旧是倾向于多晶硅的。基于特殊的光电加工过程的选择，由多晶硅生产的太阳能电池的光电转换效率为13—16.5%，仅仅比由相同电池生产过程加工而来的多晶硅太阳能电池平均低1%。 多晶硅浇铸通常是在由石墨支持的盛有熔融硅的坩埚内进行的。典型的，结晶开始于坩埚的底部，通过将温度降到硅的熔点（1412℃）以下。冷却效果则是通过揭示由加热区域到冷却壁之间石墨坩埚的支撑结构部分得以完成，并且热梯度将被维持且通过加工功率来做相应的调整。 在实验上与数据上，用于太阳能电池的硅晶体的生长已经有了显著的研究。金姆和金姆【2】展现了在热交换法系统中的晶体生长以及硅锭生长的特征描述。在他的研究中，多晶硅锭是在自动化的HEM（热交换法系统）设备中生长的。而锭的质量评估是通过对硅片的显微检查以及对太阳能电池的光电转换效率的测试来完成的。Fujiwara以及其他人计划了一个通过一定的浇铸方式来生长具有大晶粒的特定结构的多晶硅锭的方法。而这种多晶硅太阳能电池的性能据报道和单晶硅太阳能电池的性能相似。被Ciszek提议的电磁铸锭（EMC）,是建立在正如在传统的冷却坩埚技术中没有坩埚底的情况下的热感应冷却坩埚熔化限制的基础之上的。EMC（电磁铸锭）的生产能力在任何的硅锭生长技术中都是最高的——将近30kg/h。 由于较长的周期以及不具备直接观察熔炉内部的能力，数值模拟就被发展成为了一个用来帮助了解熔炉内部的温度分布以及完善铸造过程的有力工具。刘【6】等人发明了一个用于铸造过程的整体模型的短暂代码，用来执行计算温度分布以及硅锭中铁的分布。Franke【7】等人得出了一个数值模拟的结果，展现了熔炉中的温度分布以及用多种加工条件加工出的硅锭。关于温度分布的熔化对流的影响以及前端界面的生长也已被研究。【8、9】出来温度以外，应力以及位错的产生也在实验上和数据上进行了研究。 通过太阳能成组技术的定向凝固系统（DSS）和热交换法系统（HEM）的区域制造在光伏工业上是两种最广泛应用的多晶硅晶体生长技术。而二者的基本功能相似，其温度分布、生长界面以及晶体质量则有显著的不同。晶体质量，主要是由热区域决定的，直接影响到了硅锭中优质硅的产量以及最终电池片的太阳能电池的性能。在这篇论文中，对DSS和HEM的数值模拟将会被呈现、比较，以及将与晶体质量和在这些区域中生长的硅锭性能产生联系。 2.铸造过程 定向凝固系统（DSS）和热交换法系统（HEM）的热区域图如图1所示。在DSS生长过程中，隔热边的提升使得底部可以排热而坩埚却保持不变。在热交换法系统中，坩埚与底部隔热区的中心部分在生长过程中向下移动以至于热交换组件对冷壁有一个定向的辐射轨道。这两个系统透过坩埚底部的排热都是为了开始凝固。然而，不同的移动部分与系统中特殊的几何图形也导致了不同的温度分布。特别的，坩埚中不同的温度曲线导致了凝固界面的形状，杂质的分离，热应力的分布以及缺陷的形成等的显著差异。因此，从定向凝固系统和热交换法系统生长起来的硅锭的特征与性能是不同的。 图1展现了其恒温分布，其颜色以及分阶段渐变的等高线则在K中表示。对于定向凝固系统，图1中a和c表明硅锭下半部边缘处的硅比中部的硅冷却得更快，因为在隔热器开启后热交换区边缘是通过辐射向冷环境中损失热量的。这使得等温线向邻近坩埚壁处弯曲。然而，在热交换法系统中，如图1b d所示，贯穿硅锭的温度曲线在边缘处的比在中部的（更加凸起）更热，因为冷却区的边缘对于加热器有一个较大的视角系数，加热器相对于硅锭更低，并且相比于定向凝固系统，冷却区的宽度更小。 在生