学年论文-精细玻璃ITO镀膜工艺的研究与应用.docVIP

学年论文 题 目 精细玻璃ITO镀膜工艺的研究与应用 学 生 学 号 专 业 08材料物理 班 级 02 指导教师 完成时间 2011 年 11 月___27 日 成 绩  学年论文成绩评定表 姓名 学号 专业班级 学年论文题目 成绩 指导教师评语： 指导教师签名： 日期：  目 录 摘要 I 引言： 1 一、磁控溅射法制备ITO薄膜 2 1、实验 2 1.1 样品的制备 2 1.2 性能的表征 2 1.3 ITO薄膜的制备 3 2、结果与讨论 4 2.1 靶材角度对ITO薄膜的光电-性能的影响 4 2.2 氧流量对ITO薄膜的光电性能的影响 5 2.3溅射时间对ITO薄膜的光电性能的影响 6 2.4 溅射功率对ITO薄膜的光电性能的影响 7 3、结论 8 二、溶胶-凝胶法制备 8 1、Sol—Gel法制备ITO薄膜的工艺过程 8 1.1 前驱液的制备 9 1.2 薄膜的制备 9 2、结果与讨论 9 2.1 掺Sn量对薄膜光电性能的影响 9 2.2 热处理温度对薄膜光电性能的影响 11 2.3 镀膜层数对薄膜光电性能的影响 12 3、结论 13 三、ITO薄膜的应用 13 3.1 塑料显示器的应用 13 3.2 可折叠太阳能电池 14 3.3 柔性有机发光器件 14 结束语 15 参考文献： 16 摘要 ITO薄膜有复杂的立方铁锰矿结构，最低电阻率接近cm量级，可见光范围内平均光透过率在 90%以上,其优良光电性质使之成为具有实用价值的TCO薄膜。ITO透明导电膜除了具有髙可见光透过率和高电导率，还具备其它优良的性能，如高红外反射率、与玻璃有较强的附着力、良好的机械强度和化学稳定性、用酸溶液湿法刻蚀工艺容易形成电极图等，被广泛地应用于平板显示器件、微波与射频屏蔽装置、敏感器件和太阳能电池等很多领域[1-3]。特别是近年来液晶等平板显示器件的崛起，更促进了ITO薄膜的研究和需求。 关键词：ITO薄膜 磁控溅射 直流溅射 溶胶-凝胶 旋涂法 掺杂  引言： ITO薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。因此，它是液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）、电致发光显示器（EL/OLED）、触摸屏（TouchPanel）、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。对于ITO薄膜材料的研究，目前研究较多的是SnO2基，In2O3基和ZnO基材料，其中以Sn掺杂的In2O3（In2O3:Sn,ITO）和Al掺杂的ZnO（ZnO ：Al，AZO）研究较为广泛。磁控溅射法、化学气相沉积(CVD)法、喷雾热分解法、溶胶-凝胶法（sol-gel）是目前制备ITO薄膜常用的方法。 ITO薄膜的导电机制[6]：ln203是直接跃迁宽禁带半导体材料，其晶体结构是立方铁锰矿结构。由于在1?03形成过程中没有构成完整的理想化学配比结构，结晶结构中缺少氧原子（氧空位），因此存在过剩的自由电子，表现出一定的电子导电性。同时，如果利用高价的阳离子如Sn掺杂在ln203晶格中代替In3+的位置,则会增加自由导电 电子的浓度，进而提髙氧化铟的导电性。在ITO薄膜中，Sn —般以Sn2+或Sn4+的形式存在，由于In在ln203中是正三价，Sn4+的存在将提供一个电子到导带，相反Sn2+的存在将降低导带中电子的密度。另外，SnO自身呈暗褐色，对可见光的透过率较差。在低温沉积过程中，Sn在ITO中主要以SnO的形式存在，导致较低的载流子浓度和髙的膜电阻。经过退火处理，一方面能促使SnO向Sn02转变，使薄膜进一步氧化，另一方面促使薄膜中多余的氧脱附,从而达到降低膜电阻,提高膜的可见光透过率的目的[17]。 ITO导电薄膜是用物理或化学方法在基体表面上沉积得到的。基体材料一般采用玻璃，如采用低温磁控溅射[3][4][7]工艺制备，基体也可以塑料等聚合物材料。基体的热膨胀系数对膜的性质有较大的影响，所以选择基体材料时应根据所采用的方法不同而选取适当的材料。 一、磁控溅射法制备ITO薄膜 1、实验 1.1 样品的制备 本实验采用直流溅射方法[7]制备ITO透明导电薄膜，靶材为ITO陶瓷靶(In2O3：S