可控硅全桥并联逆变电源和IGBT半桥串联逆变电源的性能比较.pdfVIP

!!! !!塑生全曼三些竺矍皇垫堂查垒坚 一．—— 可控硅全桥并联逆变电源与IGBT半桥串联 逆变电源的性能比较 颤蚓}胱星 (西安机电研究所，西安710075)(上海市机电没计研究院．上海200040) 擅舞。本文对历年来得到广泛应用的可控硅全桥并联逆变固体电源以及近门牟：符到快速发展的IGBT半轿串 联逆变固体电源的各项性能及它们的适用配璃岛幛(电炉)进行了详细的比较分析．它删予甩卢根据备自 的工艺要求正确、合理、经济地选用髓的供电电源． 关奠闻t可控硅；lGgT．中频固体电源；感应电炉 ThePerformanceCOmlmisoub时H，eenM田l YanWenfeil Y_m册塔耐 (1：Xi’触Mcd班ljc缸蛆dEIoc晡c黜8耐IIns她X／’锄71[]075) 0：母四堪laihI螗眦ofM喊L＆Ekc-R蟛∞自dn霜咖喀血如0040) MF forlheSCRsolid蛐MF and[OBT∞酣siam Ah愀Thep芒咖撇andits珥@licalion pa,vergl中ply and r柳 conec[,嘲啪曲lc ec氆删cMFpow叮R耳叫y蛔錾∞rd埘谳廿l出如div删press solid K盯Words：S@IGBT；MFsupply；induction缸m slate：power 1前言 在我国的铸造界中，通常俗称配置可控硅(scR)全桥并联逆变固体电源的中频感应电炉为 中频炉，其逆变部分电路如图1。而俗称配置IGBT半桥串联逆变固体电源的中频感应电炉为 变频炉(这个称呼并不确切，只是为了与前者相区别)，其逆变部分电路如图2。由于这二种 感应电炉的逆变供电电源不同，所以它们的工作性能也有很大的区别。西安机电研究所既生产 配置SCR全桥并联逆变围体电源的中频炉，也生产配置IGBT半桥串联逆变固体电源的交频 炉。下文将对它们的优缺点和适用范围作一简单比较，以使用户能够根据各自的工艺要求正确 选择这二种不同类型的电炉。 =『；谢‘ ■ ■ ■ M ■ 圈2 IG肘毕桥●囊避芟纛嘲 颜文非等：可控硅全桥并联逆变固体电源与IGBT半桥串联逆变固体电源的性能比较227 2固体电源的各项性能比较 2．1目前可以挺§≈的E述=种产品规格 经过近几十年的发展，可控硅已成为一种非常成熟的电力半导体元件。目前国外著名的 中，并联补偿电容器和电炉的感应线圈自成振荡Fj路，流过可控硅的电流通常是电炉感应线圈 kW 电研究所现在生产的SCR全桥并躺煎变固体电源的功率范围是160～3000 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种新型电力半导体器件，正处在成熟发展过程中。现在 桥串联逆变器中，补偿电容器与电炉的感应线圈串联，不能自成回路，电炉感应线圈的电流必 须全都流过IGBT。在这种电路中，IGBT通常采用多个并联工 作。但IGBT是一种快速开关器件，其关断时由于连接铜排电感 的作用，会在IGBT上产生较高的关断过电压，如图3。这个过 电压不能高于IGBT的额定耐压，否则会造成tGBT损坏。