透射式碲铷光电阴极的工艺与特性的研究.pdfVIP

● 透射式碲铷光电阴极的工艺和特性研究 赵文锦 (南京电子器件研究所210016) 摘要：本文主要介绍对紫外敏感的碲铷光电阴极的J：艺和特性研究，采用“分步重复” 秉l徽碲处理等一【：艺手法．可有效地提高光电阴极灵敏度(≥L5mA／w)和改善光谱性能(185 —320m)．同时对其日盲性能进行探讨．得山该阴极的日ti特性和暗电流特性优丁．同类碲 铯、碲铯铷光电阴极的结论。 关键词：光电阴极、日盲、灵敏度、皓电流 1 引言 随着科学技术的不断发展，现代光电子技术不再局限1：可见光波段，而是向光谱的两 端伸展。目前，红外技术在军粤雨I希}研领域的应刚研究较为』“泛，而紫外技术尚处丁I柳级 阶段。由r红外技术的日趋成熟，且往应t【{j过样中存在一些缺陷．使得紫外光技术的研究 ● 成为热门话题。在真空光电器仲中，对不同光谱的感应是由光电阴极来实现的。光电阴极 是将光信号转换成电信号的关键。它的制作过程足企真空q，进行的，!j光电器^f，l：的其它部 分相比，它的一致性较差，所咀光电阴极的制作往往是这类器忭的难点。文章中将要讨论 的蹄铷光电阴极．是对紫外敏感的且具有较高骷于效率的实喇光电阴极，采H{这种光电阴 极的一系列微通道扳光电倍增管、二代l呈i像增强器等器件，庄光学仪器、天文探测、物理 化学分析等方面都具有十分重要的作州．田此对该阴极的研究具有恨人的现实意义。 2碲铷日盲光电阴极的机理和结构 所谓日盲，是指对可见光没有响应，即这类阴极的光谱阌值波长在350nm以F。通常 种，前者讨论较多．近乎达到成熟的地步。在此，我仃J主要对Te-Rb光电阴极进行一些理 论和实践的探讨。 Te-Rb光电阴极的能带如图l所示，它的禁带宽度和电子亲和势2和约为3．7eV，根 据爱因斯坦能域公式： E=hV=hc／^ “) 式中： E一光子能链 ● h一普朗克常数 ^一光波K C一光速 我们将E=3．7eV化入上式，汁算出碲铷光电阴极的阈值波长约为330nm，比碲铯光电 阴极(阈值波跃约为350nm)表现出更为优越的日ti特性。 _‘l王￡：』毛，鼻出r 1． } ●．_、 凹l碲铷光}U阴极的能带图 从资料可得Te～Rb光电阴极在峰值(2537nra)处的量子效率为2％。而Te_cs光电阴 极的甜子效率为7．4％。闪此，庄实际戍。峭中，一般选择1e-Cs光电阴极作为紫：卟光电增 换的窗口，以获得牧好的阴极灵疑(度。但是，由于Te—Rb光也阴极在日盲性能方面的优井． 使得该阴极在应用领域有着很高的使Ⅲ价值．为此+我们对该阴极的制作】：艺进行研究和 改进，以期获得灵敏度高和日亩性髓好的紫外光电阴极。 3 Te-Rb光电阴极的工艺过程和工艺特色 3．1传统工艺过程“’ 透射式Te—Rb光电明极的一般1。艺过科如下：将碲蒸发到撕英基片上．然后将碲膜据 ■ 露于Rb蒸气中进行激活(温度大约在150℃)，直至光电流造鹾犬值为止。由于Rb，Te化台 物的导电性能较差，造成阴极光电流无法支出。因此．在阴极1二艺之前，需要在=仃英基i￡ 上蒸沉一层铬膜，米增加阴檄的导电性能。铬膜厚度控制在面板向光透过率85％以上。 3 2 Te·-Rb光电阴极灵敏度特性研究 从前面的论述我们可知道，：Te-Rb光电阴极的灵敏度较低，为了得到既宵好的日盲性 能，义相对灵敏的器付，必