SiC衬底弯曲度和GaN外延片弯曲度关系研究.pdfVIP

SiC衬底弯曲度与GaN外延片弯曲度关系研究 冯春1王晓亮1，2，3 肖红领1王翠梅1李建平1刘宏新1姜丽娟 陈竑1 殷海波1 王占国1，2 侯洵2，3 1中国科学院半导体所材料科学重点实验室，北京 100083 2中国科学院半导体研究所，西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室，北京 100083 3西安交通大学电子与信息工程学院，西安 710049 摘要:采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料，并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系，结果表明GaN外延 材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型，计算了外延不同GaN层厚度时通过外延所引入的弯曲度， 以及不同SiC衬底厚度与外延片弯曲度之间的关系。外延引入的弯曲度随着外延层厚度的增大而增大：外延引入的弯曲度随着 衬底厚度的减小而增大。研究了衬底弯曲度的方向对外延片弯曲度的影响，当衬底弯曲度为负时，更有利于获得较小弯曲度的 外延材料。 关键词:GaN外延；SiC衬底；弯曲度 RelationshipbetweenbowofSiCsubstrateandGaNEpitaxial wafers ChunFeng1XiaoliangWang1,2,3HonglingXiao1CuimeiWang1JianpingLi1HongxinLiu1 LijuanJiang1HongChen1HaiboYin1ZhanguoWang1,2XunHou2，3 1KeyLaboratoryofMaterialsScience,InstituteofSemiconductors.ChineseAcademyofSciences,Beijing100083,China 2ISCAS-XJTUJointLaboratoryofFunctionalMaterialsandDevicesforlnformatics.Beijing,10083,China 3SchoolofElectronicsandInformationEngineering,XianJiaotongUniversity,Xian,710049,China Abstract:TheGaNfilmsweregrownonSiCsubstratebyMOCVD,therelationshipbetweenthebowofSiCsubstrateandGaNepitaxial waferswasinvestigated.BowofGaNepitaxialwafersincreasealongwiththebowofSiCsubstrate.Relationshipbetweenbowinduced byepitaxialgrowthandthicknessofGaNlayerwascalculatedthroughelasticmodel.BowofGaNepitaxialwafersversusthicknessof SiCsubstratehasalsobeencalculated.BowofGaNepitaxialwafersincreasedwhenthicknessofGaNlayerincreasedorthicknessofSiC substratedecreased.SiCsubstratewithnegativebowisbeneficialtoobtainGaNepitaxialwaferswithfewerbow. 第十七层仝■化含物半-II-W．、微波■‘件和光电嚣件掌术寺议 翘曲，在器件制备工艺中，可能会导致光刻 随着外延层厚度的增加，外延所引入的弯曲 工艺的难以对准和线条不均匀，增加器件研 度增大。从降低外延引入的弯曲度方面来说， 制难度，降低器件的性能和成品率。本文从 GaN缓冲层厚度应越小越好，但GaN缓冲层 理论和试验结果两方面分析并揭示了SiC衬采用非故意掺杂方法引入大量缺陷和位错来 底材料的弯曲度与GaN基微电子外延材料弯保证高电阻率，如果缓冲层厚度太薄，无法 曲度之间的关系。 有效过滤位错和缺陷，将会导致器