Ga-F共掺杂ZnO导电性和透射率的第一性原理计算.pdfVIP

第 31卷第 1期 无 机 化 学 学 报 Vo1．31No．1 2015年 1月 CH[INESEJ0URNALOFIN0RGANICCHEMISTRY 15—22 Ga．F共掺杂 ZnO导电性和透射率的第一性原理计算 何静芳 ， 吴 一 史茹倩 1 周鹏力 -，2 郑树凯*， (河北大学电子信息工程学院计算材料与器件模拟研究中心．保定 071002) (2西安电子科技大学通信工程学院，西安 710071) 摘要 ：采用基于密度泛函理论 的第一性原理平面波超软赝势方法 ，对本征Zn0Ga、F单掺 Zn0和 Ga．-F共掺 Zn0的几何结构 ， 进行优化后计算 了各体系的相关性质 。结果表 明各掺杂体系有各 自的优缺点，在制作透 明导电薄膜时可根据具体要求采取不同 的掺杂方案 。Ga掺杂ZnO比F掺杂 ZnO的晶格畸变小 。相同环境下 Ga原子比F原子更容易进入 ZnO 晶格． 因此掺杂后结构 更加稳定 。Ga、F掺杂都改善 了ZnO的导电性，掺杂 ZnO的载流子浓度 比本征 Zx1LO增加 了3个数量级． 相同浓度 的F掺杂比Ga 掺杂能产生更多的载流子 。Ga．F共掺杂 ZnO折 中了上述 Ga、F单掺杂 ZrLO的优缺点。另外 ， 掺杂后Zl1LO的吸收边蓝移 ．以Ga— F共掺杂 ZnO在紫外区域的透射率最大，在 280．380nm范围内其透射率在 90％以上 关键词 ：ZnO；第一性原理 ；载流子浓度 ；光学性质 ；透射率 中图分类号：0649A 文献标识码：A 文章编号：1001．4861(2015)01．O015．08 DoI：10．11862／CqJIC．2015．001 First．-PrinciplesCalculationontheConductivityandOptical TransmittanceofZnO CodopedwithGa-F HEJing-Fang卫 WUYi SHIRu--Qian ZHOUPeng-．Li ZHENGShu-Kai Ci【ResearchCenter，orComputationdMaterialsDeviceSimulations，CollegeofElectronicand InformationalEngineering,HebeiUniversity,Bao~ng,Hebei071002,Chn／a) (2SchoolofTelecommunicationsEngineering,Xic~na University,Xina 710071，Chn／~) Abstract：Therelatedpropertiesofintrinsic，Ga．-，F—dopedandGa-F codopedZnO alecalculatedaftermaking geometryoptimizationusingfirstprinciplesplane-waveuhrasoftpseudopotentialmethodbasedon thedensity functionaltheory．Theresultsshow thatevery dopedZnO hasitsownadvantagesanddisadvantages，SOthereis differentdopingschemeaccordingtospecificrequirement．ThelatticedistortioninGadopedZnO issmallerthan F dopedZnO．AndGadopedZnO hasmorest