一种5～20GHz低插损低相位误差的CMOS衰减器.pdfVIP

2015年 4月 西安电子科技大学学报 (自然科学版) Apr．2015 第 42卷 第 2期 JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY Vo1．42 NO．2 doi：10．3969／j．issn．1001—2400．2015．02．015 一 种 52OGHz低插损低相位误差的CMOS衰减器 张岩 龙，庄 奕琪，李振 荣，任 小娇， 齐 增 卫，杜 永 乾，李 红 云 (西安 电子科技大学 微 电子学院，陕西 西安 710071) 摘要 ：设计 了一种具有低插入损耗、低 相位误差的5位 CMOS集总式衰减器．该衰减器基于 0．18 m CMOS工艺，采用桥 T和 7c形衰减结构，通过 NMOS晶体管开关控制 5个独立 的衰减模块 ，在5～．20GHz 的工作频段范围内实现步长1dB、动态范围O～31dB的信号幅度衰减．其中，串联控制开关管采用体端通 过 电阻与源极相连 的结构，在不增加寄生 电容的前提下，降低导通 电阻；并联控制开关采用体端交流悬浮 结构，以提高整体衰减器 的线性度．较大衰减量的衰减模块采用 电感进行补偿 ，以减小附加相移．仿真结果 显示，该衰减器插入损耗最小为6．1dB，最大为 12．6dB，各状态衰减量均方根小于0．5dB，附加相移均方 根小于3．4。，中心频率处1dB压缩点为 14．13dBm． 关键词 ：衰减器 ；步进式衰减器 ；CMOS开关 ；低插入损耗 ；低相位误差 中图分类号 ：TN715 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—2400(2015)02—0089—06 5～20GHzCMoSattenuatorwitha low insertion loss and alow phaseerror ZHANGYanlong，ZHUANGYiqi，LIZhenrong，REN Xiaojiao， Q Zengwei，DU Yongqian，LIHongyun (SchoolofMicroelectronic，XidianUniv．，Xi’an 710071，China) Abstract： A 5～ 2OGHz lumpedCM 0S attenuatorwith a low insertion lOSSand a low phaseerroris presented．Theattenuatorisbasedonbridged—T and 7ctypeattenuativenetworksandimplemented with O．18 m CM0Stechnology，anditoperateswith5independentattenuativemodulesbyNM0Sswitches．At thefrequencyrangeof5～ 20GHz。theattenuatorhasa0～ 31dB attenuationrangewith 1dB increase．In theattenuator．theseriesswitchesarebody-sourceconnected byaresistortom inimizetheinsertion lOSS withoutinvolvingtoomuchcapacitance，andtheshuntswitchesareacbodyfloatedtoimprovelinearity．The largerattenuativemodulesarecompensatedfor insertionphasewith inductors．Asthelayoutsimulation resul