高频小信号实验.docVIP

实验一 高频小信号调谐放大器实验 一、实验目的 1、进一步掌握高频小信号调谐放大器的工作原理。 2、学会小信号调谐放大器的设计方法。 二、实验内容 调节谐振回路使谐振放大器谐振在10.7MHz。 测量谐振放大器的电压增益。 测量谐振放大器的通频带。 判断谐振放大器选择性的优劣。 三、实验仪器 1、BT-3（G）型频率特性测试仪（选项） 一台 2、20MHz模拟示波器 一台 3、数字万用表 一块 4、调试工具 一套 四、实验原理 图1-1所示电路为共发射极接法的晶体管高频小信号调谐放大器。它不仅要放大高频信号，而且还要有一定的选频作用，因此晶体管的集电极负载为LC并联谐振回路。在高频情况下，晶体管本身的极间电容及连接导线的分布参数等会影响放大器输出信号的频率或相位。晶体管的静态工作点由电阻RB1，RB2及RE决定，其计算方法与低频单管放大器相同。 图1-1 小信号调谐放大器 放大器在高频情况下的等效电路如图1-2所示，晶体管的4个y参数，，及分别为 输入导纳 （1-1） 输出导纳 （1-2） 正向传输导纳 （1-3） 反向传输导纳 （1-4） 图1-2 放大器的高频等效回路? 式中，——晶体管的跨导，与发射极电流的关系为 （1-5） ——发射结电导，与晶体管的电流放大系数β及IE有关， 其关系为 （1-6） ——基极体电阻，一般为几十欧姆； ——集电结电容，一般为几皮法； ——发射结电容，一般为几十皮法至几百皮法。 由此可见，晶体管在高频情况下的分布参数除了与静态工作电流，电流放大系数有关外，还与工作频率有关。晶体管手册中给出的分布参数一般是在测试条件一定的情况下测得的。如在30MHz，=2mA，=8V条件下测得3DG6C的y参数为： 如果工作条件发生变化，上述参数则有所变动。因此，高频电路的设计计算一般采用工程估算的方法。 图1-2中所示的等效电路中，为晶体管的集电极接入系数，即 　 （1-7） 式中，为电感L线圈的总匝数。 为输出变压器T的副边与原边的匝数比，即 　　 （1-8） 式中，为副边（次级）的总匝数。 为调谐放大器输出负载的电导，。通常小信号调谐放大器的下一级仍为晶体管调谐放大器，则将是下一级晶体管的输入电导。 由图1-2可见，并联谐振回路的总电导的表达式为 　　　　　 （1-9） 式中，G为LC回路本身的损耗电导。谐振时L和C的并联回路呈纯阻，其阻值等于1/G，并联谐振电抗为无限大，则jwC与1/（jwL）的影响可以忽略。 1、调谐放大器的性能指标及测量方法 表征高频小信号调谐放大器的主要性能指标有谐振频率，谐振电压放大倍数，放大器的通频带BW及选择性（通常用矩形系数来表示）等。 放大器各项性能指标及测量方法如下： （1）谐振频率 放大器的调谐回路谐振时所对应的频率称为放大器的谐振频率，对于图1-1所示电路（也是以下各项指标所对应电路），的表达式为 　　　　 （1-10） 式中，L为调谐回路电感线圈的电感量； 为调谐回路的总电容，的表达式为 　　　　　 　 （1-11） 式中， Coe为晶体管的输出电容；Cie为晶体管的输入电容。 谐振频率的测量方法是： 用扫频仪作为测