功率VDMOS器件可靠性与应用失效分析.pdfVIP

÷口≈∞t}Pn女^^■n《·≈i■ 功率VDMOS器件可靠性及应用失效分析 蝻型功率、DⅥos捌千仆口器什．队其高开关建虚低损耗等特点耐晦用rJ晓．m下功率IDRO$的1：作荣蚪恶劣．在高沮太也 压的晦川环境F击嬗嘏率粒凡，车文总结和赫连了Yn师在可靠牲芎棱和寓际成川中的一些典型戋教分昕过释和方法阻 肚I|哺对日率LDuos失最些常用的分析手段也作r初步n蝴和l十沧 戈犍州：功串、nuos町摊性席HJ失效分忻 l引言 让堆受太太册电流盯破击穿．特别是在歼芰的瞬m】过于压 功半VDMOS以茸岛开关洼度胝开关批耗．低唰动被击穿的概率较太。 拟耗等特点而在备种功率耍换特别是雀高频功率变换中府 由干功率型VDMOS需川的蟓材料很多．采用多种工 ¨l广泛。例如于饥电脯涟品屯说宽电器、玩具．电 艺制啦．生效模式通常涉及埘装．键☆．金届化．电学性 动自行车电话lE豫辑类仪器使是．还胄避免屯潭世 能沮漂等等请多原心。琦着半导件技术的班胜．．S片加工 屯中断所使用UPS系统(不问断lU潍)苒中也¨J到r功乍上￡的成热．吐及生产线工Z拄制能力的增强．阜导体器 VDMOS器件．常地助牢器件产品蛳图I昕Ⅲ。 件的必嫂总体裘现为芯片牢身失散减小．而器件封轻结构 通常m干功率VDMOS自身特点和芯片结构1．的档 和半导体器件后续J．芝导致的戋效成为{：譬失教。功率 异．其可靠性捌试靠社咀及生效机理也有其特殊{_I=．功牢 MOSFET的后进封装比特通品体管具有一定的难度．析且 MOS器件随着技术的发展．片／dOS单元的尺·J也越来越产品质量窖易产生波动．生产过程的牲制要求也更高。 小，在棚同面税中集成柏啦兀葚米越多．器件的电谴密度 也越来毽太．加之器件羟常T作书高电雎、大屯漳的状惑 2功串嚣件可蠢性考辕舅试介绍 下．在开发和实际应用巾经常遇到功率MOS器什山1‘无 可靠性及失效分忻的研究是使产品在行种实际的I‘怍 王f：境和负载r保{{其性能的m要保证。昧电于扫描和光学 脱察以外．功毕器件的IE学参数可靠性测试方偿有很多神， ，≈溢厦向偏拦测试(HTRB)．非钳制电堪阡羌测蛳UIS)，高温 一■， 环境存储耐由HTS)．浓湖_试(sc)等。 由J：热功率和热应力台全面地州弱器件的性能和岢 向，0l起键赍．金属化击穿等多方面的失散，因此必须 通垃宜骑进行仝血考察。 附矗为功率器件衅常川可靠性测试项rI，“鞍常用 谚毋◆ 的HTRB测试为侧．即高溢反偏洲试。通常需班抒被洲材 料至干触炳F，例自哪=l50．Jr施腓I乜Ⅱi为舯％厦向 田1常见自{■#P￡ 出穿IU址。洲破时nⅡ的k垭时f自抽样敦．栅谜嘲f．以理 200㈣Mm’smEw 驸表功事器件一些常用可靠性Ⅲ试项目 品BV均恢复到考核前的正常水平。后砖证诙批产品BV下降 由于封装不良。队上看出．对数据全面系统的分析是不可 GaLebias BighTemp 忽略的一个环节。 1Ii女Temp 32电性IIi式 R“一bias R…seBias