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- 2017-08-10 发布于安徽
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第42卷 增刊2 稀有金属材料与工程 v01.42,SuppI.2
2013年 11月 RARE眦TALMATERIAI,SANDENGn呵EERING November2013
氧分压对磁控溅射氧化钼薄膜结构成分
与光学性能的影响
刘云辉1,王 波1,张丽霞2
(1.北京工业大学,北京100124)
(2.航天科工防御技术研究试验中心,北京100854)
摘要:通过控制溅射反应气氛中的氧分压分别在单晶硅及石英基底上制备出了半导体氧化钼薄膜,并对制备的薄膜
析表征手段系统研究了不同氧分压对沉积薄膜的结构、化学成分及其光学性能的影响。xRD研究表明薄膜结晶性能良
好,主要沿(0k0)取向择优生长:0.1Pa氧分压下的薄膜为Mo/M003两相共存态,随着氧分压的增加薄膜趋向于正常
化学计量比氧化钼,O.75Pa氧分压下的薄膜结晶性能最好,IR光谱表征吸收峰的研究也说明薄膜为正常化学计量比的
单一相三氧化钼iSEM研究表明薄膜表面平整度高、颗粒分布均匀:薄膜平均光学透过率随着氧分压的增加而增大,
具有良好的光学性能,近红外波段的光学透过率高达90%以上,360~1400nm波段的平均光学透过率在74%~86%之间,
光学带隙介于2.995~3.123eV。
关键词:氧化钼;氧分压;结构;光学透过率:溅射
中图法分类号:TB43;TN305;0484.4文献标识码:A 文章编号:1002一185x(2013)S2.305.04
作为一种宽带隙半导体,三氧化钼薄膜具有出色 能的直接影响。
的光电性能【l’2】,成为应用研究中的理想材料之一,在
1 实 验
太阳电池、大规模信息显示设备、高层建筑的智能窗、
汽车玻璃及其防眩目后视镜以及作为检验特定液体、 采用高真空射频磁控溅射系统来制备氧化铝薄
气体的传感器【卜5】等方面应用广泛。三氧化钼的广泛应 膜。纯度为99.95%的金属Mo(庐50mm)靶;洁净的玻
用产生了许多不同的制备方法,目前实验室制备氧化钼 璃和单晶硅基片,为保证薄膜的沉积质量,实验开始
min
薄膜的技术方法有凝胶一溶胶【61、真空蒸镀[7’8]、化学气前,所有基片都经甲苯、丙酮、乙醇各超声清洗15
相沉积‘91等化学方法和溅射‘10m】、脉冲激光沉积[4,5,13】来祛除表面油污。溅射设备系统本底真空抽至为3×
10‘3
等物理方法。在这些技术中,由于磁控溅射技术容易 Pa,靶基距为40mm,参与溅射的气体为高纯度
控制氧在薄膜中的含量而且能够实现大面积生产的优 的氩气(5N)和高纯度的氧气(5N),溅射气压控制为1
Pa,
点而被广泛采用。 Pa,将真空室内氧分压分别调整为0.1,0.5,0.75
开始镀膜前预溅射15 W,
材料的性能应用很大程度上取决于构成材料的化 min,溅射功率调节为100
学成分、结构和形貌,而成分结构形貌因制备方法和 温度调整为400℃,溅射沉积时间为30min,溅射完
试验参数的不同而不同,溅射气氛中氧分压和衬底温 成后进行后续的保温退火热处理。
度对薄膜的相结构和薄膜特性的影响最大,因此研究 薄膜的相结构分析在x射线衍射仪(XRD,
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