Si3P4和Ge3P4电子结构及光学性质的第一性原理研究.pdfVIP

Si。Pt和Ge。P4电子结构及光学性质的第一性原理研究／刘 芳等 ·163 · Si3P4和 Ge3P4电子结构及光学性质的第一性原理研究 刘 芳 ，桑 田 ，赵 华 ，周武雷 ，杨 宇 (1 黔南民族师范学院物理与电子科学系，都匀 558000；2 云南大学光电信息材料研究所，昆明650091) 摘要 采用基于密度泛函理论的广义梯度近似 (GGA)，计算了赝立方结构的Si。P4和Ge3P 的基态稳定结 构，以及它们的电子结构和光学性质。计算结果表明：SisPt和GesP4均为间接带隙半导体，Si-P键及Ge-P键成键方 式为共价键；Si3P4和GesP 均具有较大的静态介电常数；两者相比较而言，Ge3P4的反射率、折射率及吸收系数在数 值上更大。从Si3P4和GeaP 的能量损失函数中可知仅有外层电子参与了光学跃迁。计算结果为这两种材料的潜 在应用提供了理论依据。 关键词 Si3P4 Ge3P4光学性质 第一性原理 中图分类号：TB321 文献标识码 ：A FirstPrincipleStudyonElectronicStructureandOpticalPropertiesof Si3P4andGe3P4 LIU Fang ，SANGTian ，ZHAO Hua ，ZHOU Wulei，YANG Yu (1 DepartmentofPhysicsandElectronicScience，QiannanNormalCollegeforNationalities，Duyun558000； 2 InstituteofOptoelectronicInformationMaterials，YunnanUniversity，Kunming650091) Abstract Thestabilityoftheground-statestructureofSi3P4andGe3P4waswellstudiedbyusingthefirst principlesmethodbasedondensityfunctionaltheorygeneralizedgradientapproximation (GGA)．Thelatticeconstant understeady-statewasobtained．Furthemr ore，theelectronicstructureandabsorptionpropertieswerealsoevaluated bythecalculations．TheresultsindicatethatbothSiaP4andGe3P4arenarrow indirectgapsemiconductor，thebonding modeofSi-PandGe-Parecovalentbond．ComparedwithSi3N4，theSi3P4andGe3P4show relatively1argerstaticdie— lectricfunctionconstant，andthereflectivityandrefractiveindexofGe3P4arelargerthanthoseofSi3P4．Accordingto theenergylosingfunctionofSi3P4andGe3P4，itcanbeconcludedthatonlyoutshellelectronsareinvolvedintheopti— caltransition． Keywords Si3P4，GeaP4，opticalproperty，firstprinciple 近年来，人们在 Si材料与V族元素所形成的化合物中发 稳定结构_6]。另一方面，Xu等采用广义梯度近似 (GGA) 现了许多优 良的物理特性，促使这类化合物迅速受到了世人 方法计算了M。P 的复介 电函数、能量损失函数以及价带中 的广泛关注口 ]。比如 Si。N 具有异