掺NbITO膜的光电性能研究.pdfVIP

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2017-08-10 发布于安徽
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掺NbITO膜的光电性能研究.pdf

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掺NblTO膜的光电性能研究丁照崇。张维佳金飞闰兰琴张心强武美伶贾士亮王天民 (北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心，北京100083) 摘要：本文采用直流磁控溅射法溅射掺铌Nb的IT0靶来制备掺铌ITO膜。究分析了基片温度、氧氩比O：。Ar、工作气压、溅射功率等工艺参数对样品的学性能和电学性能的影响。通过四探针测试仪、紫外分光光度计、X射线衍 (XRD)及靶的电子能谱仪(EDX)对样品进行测试分析，得到以下结论：掺研光射铌膜沿(400)晶面择优生长。关键词：ITO膜；掺杂Nb；光电性能 of ITOFilm ThePhotoelectricResearch Properties Niobium—doped FeiYan Jin DingZhaochong·ZhangWeijia Lanqin Wu Tianmin Jia Wang ZhangXinqiangMeilingShiliang ofCondensed ofScience， (Center PhysicsMaterialPhysics，School of 100083) AeronauticsAstronautics．Beijing BeijingUniversity ITOfilmwas thedirectcurrent Abstract：The magne— niobium-doped preparedby tron method the influ— through niobium-dopedtarget．The sputtering sputtering enceofthetechnical suchassubstrate parameters and Onthe of was power photoelectricpropertiessamples gaspressuresputtering the and onthe studiedand measurement by analyzed．Through analyses samples four method，Ultraviolet Diffractionand