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第三章 器件设计技术 2013/2/26 Tuesday 1 第一节 引言 集成电路按其制造材料分为两大类： 一类是Si （硅），另一类是GaAs （砷化 镓）。目前用于ASIC 设计的主体是硅材 料。但是，在一些高速和超高速ASIC 设 计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成 的集成电路，可以大大提高电路速度。目 前Si工艺比较成熟。 2013/2/26 Tuesday 2 ASIC Silicon GaAs Bipolar MOS Bipolar FET Logic …… 2 ECL/CML TTL I L NMOS PMOS MNOS CMOS CMOS/SOS HSMOS Metal Gate VMOS CMOS 2013/2/26 Tuesday 3 1、在双极型工艺下 ECL/CML ： Emitter Coupled Logic/Current Mode Logic 射极耦合逻辑/ 电流型开关逻辑 TTL ：Transistor Transistor Logic 晶体管-晶体管逻辑 I 2 L ：Integrated Injection Logic 集成注入逻辑 2013/2/26 Tuesday 4 2、在MOS 工艺下 NMOS 、PMOS ： MNOS ：Metal Nitride （氮）Oxide Semiconductor (E)NMOS与(D)NMOS组成的单元 CMOS: Metal Gate CMOS HSCMOS ：High Speed CMOS （硅栅CMOS ） CMOS/SOS ：CMOS/Silicon on Sapphire （兰宝石上CMOS，提高抗辐射能力） VMOS ：Vertical CMOS （垂直结构CMOS 提高密度及避免Latch-Up效应） 2013/2/26 Tuesday 5 第二节 MOS晶体管的工作原理 MOSFET （Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor ），是构成VLSI的基本元件。 简单介绍MOS 晶体管的工作原理。 一、半导体的表面场