集成电路(全部复习题).docVIP

集成电路中的器件及模型 对MOS器件主要关心的是器件的阈值电压，电流方程，器件的瞬态特性，小信号工作的模型。 阈值电压是一个重要的器件参数，它是MOS晶体管导通和截止的分界点。 ①当VGS＞VT，而VDS=0时，在源—漏区之间形成均匀的导电沟道，无电位差，无电流。 ②当VDS＞0但比较小时，在源—漏区有近似均匀的导电沟道，形成漏电流。 ③当VDS=VGS-VT时，漏端反型层电荷减少到零，沟道在源端夹断。 ④当VDS＞VGS-VT时，沟道夹断的位置向源端方向移动，形成耗尽区。 K，K的关系：K是MOS晶体管的导电因子。 K是本征导电因子。 MOS晶体管的导电因子（K）由两方面因素决定：①K ②晶体管宽长比（W/L） 亚阈值电流：MOS晶体管处于表面弱反型状态，即亚阈值区，在其沟道中存在反型载流子，以扩散为主运动，而形成的电流。 亚阈值斜率：亚阈值电流减小一个数量级所对应的栅电压的变化。 5.MOS管瞬态特性：①本征电容：与本征工作区电荷变化相联系的电容。 ②寄生电容：包括覆盖电容，源漏区PN结电容。 大，小信号分别针对什么问题提出的？ 答：大信号针对数字电路提出的，小信号针对模拟电路提出的。 小尺寸器件的二级效应包括哪些方面，任选一种说明。 答：包括：①短沟道效应 ②窄沟道效应 ③饱和区沟道长度调制效应 ④迁移率退化和速度饱和 ⑤热电子效应 短沟道效应（SCE）：MOS晶体管沟道越短