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·388· 第十一届中国光伏大会暨展览会会议论文集
2nm／s高速微晶硅材料及其在单室电池中的应用
李 杨 张晓丹。 许盛之魏长春赵颖
(南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，光电信息技术科学教育部重点实验室，
光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，天津300071)
摘要本文采用喷淋(shower-head)电极结合高频、高压和高功率的方法，进行了高速微晶硅材料的制备研
究。首先关注了气压和电极间距这两个沉积参数对微晶硅生长速率和晶化率的影响，发现只有这两个参数
达到较好匹配时，才有利于获得具有较高沉积速率和一定晶化率的材料。之后通过调整硅烷浓度对本征材
料进行了进一步优化。将材料应用于电池，通过控制硅烷通入时间，一定程度解决了高速本征层孵化层过厚
nm／s、电池效率
的问题，从而改善电池的p／i界面。本文经过初步优化，在单室系统中获得了沉积速率超过2
达5．3％单结微晶硅电池。
关键词高速；单室；微晶硅；太阳电池
SiliconMaterial at Rate(2nm／s)and
Microcrystalline DepositedHigh
ina ChamberSolarCell
ApplicationSingle
Li Xiaodan。XuWei Zhao
YangZhang ShengzhiChangchunYing
(InstituteofPhotoelectronics，Nankai300071，China)
University，Tianjin
Abstract silicon(№·Si：H)thinfilmswith rateofover2
Hydrogenatedmicrocrystalline deposition nm／s
were chemical under
high vapordeposition
preparedbyvery frequencyplasma-enhanced highworkingpres-
sureand anovelshower-headcathode．Weresearchtheeffectsofthe anddec-
highpower，using pressure
trodedistanceonthe silicon rateand volume thaton—
deposition
microcrystalline crystallinefraction，finding
thesetwo tobettermatchandcan a rate，andacertain
help deposition
ly parameters gethigher crystalline
volumefractionofmaterials．Afterthe ofsilane intrinsicmaterialwasfurther
adjustmentconcentrati
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