p型ZnO薄膜制备的研究进展.docVIP

“微纳电子技术”2008年第6期 专家论坛 311-p型ZnO薄膜制备的研究进展 纳米器件与技术 318-X波段大功率GaN HEMT的研制 322-S波段系列SiC MESFET器件研制 326-带间共振隧穿二极管（RITD） 纳米材料与结构 334-晶粒度对纳米铜粉抗氧化能力的影响 338-室温光荧光谱分析中的几个典型问题 MEMS器件与技术 342-高隔离度X波段RF MEMS电容式并联开关 347-X波段MEMS可变电容的设计与制作 351-基于MS5534B的气压高度计系统的设计 356-柔性膜式微型电磁驱动器的设计与仿真分析 显微、测量、微细加工技术与设备 361-传统光学光刻的极限及下一代光刻技术366-声表面波器件电子束淀积Al膜研究 p型ZnOZnO是一种性能优异的“低温蓝光工程”宽带隙ⅡⅥ族半导体材料，但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等使ZnO很难有效地实现n型向p型导电的转变。为此，阐述了ZnO薄膜的p型掺杂机理，介绍了国内外研究者在抑制自补偿、提高受主掺杂元素固溶度及寻求合适的受主掺杂元素等方面p型ZnO薄膜的最新研究进展。研究表明：增加ZnO材料中N原子固溶度的各种办法如施主-受主共掺杂、超声雾化气相淀积及本征ZnO薄膜在NH3气氛下后退火等和选择IB族中的Ag为受主掺杂元素是实现ZnO薄膜p型导电的有效措施。期望通过本综述能为国内ZnO基器件应用的p型ZnO薄膜的制备提供新思路。 ZnO薄膜；p型掺杂；自补偿；共掺杂；IB族元素掺杂 纳米器件与技术X波段大功率GaN HEMT在研制了AlGaN/GaN HEMT外延材料的基础上，采用标准工艺制作了2.5 mm大栅宽AlGaN/GaN HEMT。直流测试中，Vg＝0 V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4 A，最大本征跨导Gmax为520 mS，夹断电压Voff为-5 V；通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔离方式，减小了器件漏电，提高了击穿电压，栅源反向电压到-20 V时，栅源漏电在10-6 A数量级；单胞器件测试中，Vds＝34 V时，器件在8 GHz下连续波输出功率为16 W，功率增益为6.08 dB，峰值功率附加效率为43.0％；2.5 mm×4四胞器件，在8 GHz下，连续波输出功率42 W，功率增益8 dB，峰值功率附加效率34％。 氮化镓基高电子迁移率晶体管；X波段；输出功率；功率增益；功率附加效率 322-S波段系列SiC MESFET器件研制 SiC材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、高热导率和相对低的介电常数等优点，使SiC MESFET在微波功率等方面的应用得到了快速发展。采用国产SiC外延片，解决了欧姆接触、干法刻蚀及损伤修复等一系列工艺难题；针对不同应用背景，研制出总栅宽分别为1、5、15、20 mm系列SiC MESFET样管。在2 GHz脉冲状态下，300 μs脉宽、10%占空比、20 mm栅宽器件单胞输出功率超过80 W，功率密度大于4 W/mm；15 mm栅宽器件在3.1~3.4 GHz频带脉冲功率输出超过30 W。该研究结果为SiC器件的实用化奠定了基础。 碳化硅；S波段；功率器件；金属半导体场效应晶体管，功率密度 326-带间共振隧穿二极管（RITD） 带间共振隧穿二极管（RITD）是导带与价带间发生共振隧穿的两端器件，其特点是启始电压VT和峰值电压Vp较低，电流峰谷比PVCR较大。在导出RITD物理模型和其电流密度方程的基础上重点介绍了InAs/AlSb/GaSbⅡ类异质结RITD、n+InAlAs/InGaAs/InAlAs/InGaAs/p+InAlAs pn结双势阱Ⅰ类RITD以及δ掺杂RITD三种RITD的器件结构、材料结构、工作原理、器件特性和参数等，并对这三种RITD的特点进行了比较和讨论。 RITD；RITD物理模型；Ⅱ类RITD；pn结双势阱Ⅰ类RITD；δ掺杂RITD 纳米材料与结构 334-晶粒度对纳米铜粉抗氧化能力的影响 以KBH4和维生素C(VC)为还原剂,以CuSO4·5H2O为原料, 以EDTA 为络合剂，PVP为分散剂, 用液相还原法制备不同晶粒度的纳米铜粉。不同晶粒度的纳米铜粉同时在空气中放置1 h后，进行XRD、DTATG以及TEM检测。结果表明：不同粒度的纳米铜粉在空气中抗氧化能力不同，晶粒度越大抗氧化能力越强。晶粒度大于75 nm 时在空气中放置1 h不被氧化，平均晶粒度为75 nm 的纳米铜粉在120 ℃时开始氧化。纳米铜粉的熔点很低， 进行TEM检测时，在电子束照射下颗粒熔融长大。 纳米铜粉；液相还原；硼氢化钾；维生素C；抗氧化能力 338-室温光荧光谱分析中的几个典型问题 根据光荧光谱的测试原理，针对具体的化合物半导体材料的层次结构，归纳、