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P1U4A Power Semiconductor Devices 第一部分第四单元课文A 功率半导体器件 5.参考译文 A 功率半导体器件 功率半导体器件构成了现代电力电子设备的核心。它们 以通-断开关矩阵的方式被用于电力电子转换器中。开关式功 率变换的效率更高。 现今的功率半导体器件几乎都是用硅材料制造，可分类 如下： 二极管 晶闸管或可控硅 双向可控硅 门极可关断晶闸管 双极结型晶体管 电力金属氧化物半导体场效应晶体管 P1U4A Power Semiconductor Devices 第一部分第四单元课文A 功率半导体器件 静电感应晶体管 绝缘栅双极型晶体管 金属氧化物半导体控制的晶闸管 集成门极换向晶闸管 二极管 电力二极管提供不可控的整流电源，这些电源有很广的 应用，如：电镀、电极氧化、电池充电、焊接、交直流电源 和变频驱动。它们也被用于变换器和缓冲器的回馈和惯性滑 行功能。典型的功率二极管具有P-I-N结构，即它几乎是纯半 导体层（本征层），位于P-N结的中部以阻断反向电压。 P1U4A Power Semiconductor Devices 第一部分第四单元课文A 功率半导体器件 图 1-4A-1 二极管符号和伏安特性 Anode Cathode Forward conduction drop Reverse leakage current Avalanche breakdown +IA -IA -VA P1U4A Power Semiconductor Devices 第一部分第四单元课文A 功率半导体器件 图1-4A-1给出了二极管符号和它的伏安特性曲线。在 正向偏置条件下，二极管可用一个结偏置压降和连续变化的 电阻来表示，这样可画出一条斜率为正的伏安特性曲线。典 型的正向导通压降为1.0伏。导通压降会引起导通损耗，必须 用合适的吸热设备对二极管进行冷却来限制结温上升。在反 向偏置条件下，由于少数载流子的存在，有很小的泄漏电流 流过，泄漏电流随电压逐渐增加。如果反向电压超过了临界 值，叫做击穿电压，二极管雪崩击穿，雪崩击穿指的是当反 向电流变大时由于结功率损耗过大造成的热击穿。 电力二极管分类如下: 标准或慢速恢复二极管 快速恢复二极管 肖特基二极管 P1U4A Power Semiconductor Devices 第一部分第四单元课文A 功率半导体器件 晶闸管 闸流管或可控硅一直是工业上用于大功率变换和控制的 传统设备。50年代后期，这种装置的投入使用开辟了现代固 态电力电子技术。术语“晶闸管”来自与其相应的充气管等效 装置，闸流管。通常，晶闸管是个系列产品的总称，包括可 控硅、双向可控硅、门极可关断晶闸管、金属氧化物半导体 控制的晶闸管、集成门极换向晶闸管。晶闸管可分成标准或 慢速相控型，快速开关型，电压回馈逆变器型。逆变器型现 已淘汰。 图1-4A-2给出了晶闸管符号和它的伏安特性曲线。基本 上，晶闸管是一个三结P-N-P-N 器件，器件内P-N-P 和N-P- N 两个三极管按正反馈方式连接。 P1U4A Power Semiconductor Devices 第一部分第四单元课文A 功率半导体器件 +IA -VA Cathode Anode Latching current Holding current Forward Condution drop IG3IG2IG1 IG3 IG2 IG1 IG=0 +VA -IA Reverse Leakage current Avalanche breakdown Forward Leakage current Forward Breakover voltage Gate 图 1-4A-2 晶闸管符号和伏安特性 P1U4A Power Semiconductor Devices 第一部分第四单元课文A 功率半导体器件 晶闸管可阻断正向和反向电压（对称阻断）。当阳极为 正时，晶闸管可由一个短暂的正门极电流脉冲触发导通；但 晶闸管一旦导通，门极即失去控制晶闸管关断的能力。晶闸 管也可由阳极过电压、阳极电压的上升率（dv/dt）、结温的 上升、PN