实验42 射频集成电路中的器件特性模拟【荐】.docVIP

实验42 射频集成电路中的器件特性模拟 射频集成电路在现代集成电路应用中发展迅速，射频集成电路的设计与模拟技术受到越来越多的关注。掌握射频集成电路的模拟分析手段是集成电路设计工程师的一重要基本技能。 本实验要求学生在系统地学习了器件物理、射频集成电路设计和集成电路制造技术等专业知识的基础上，在ADS软件环境下，独立完成几射频集成的模拟分析工作，锻炼学生射频集成器件建模与应用能力，强化学生对射频集成，培养学生初步的射频集成电路设计模拟分析能力。 1. ADS软件简介 射频集成电路的模拟分析工具有很多，其中Agilent公司提供的ADS (Advanced Design System)软件是一种简单易学易用的射频电路设计与模拟分析软件，被广泛地使用。在该软件环境下，射频集成电路的设计是以工程设计Project)为主线，下分单元电路设计(Design)和基于单元电路的模拟设计Simulation)两个，模拟结果的多种数据显示方式Data Display)，作为模拟结果的分析实现了便捷友好的人机交互。 在ADS软件中，组件库Component)包含器件及其模型、信号源和各种功能模拟控制组件。具体包括有集总参数组件Lumped Components)、信号源组件Sources)、模拟控制组件Simulation)、探针组件Probe)、数据组件Data Items)、传输线组件TLines)、器件Device)、滤波器组件Filters)、系统组件System)和受控电路组件Passive Circuits)等类型。这些组件用于电路设计和针对电路的模拟设计。 图1给出了完成一个射频集成电路工程的设计流程，首先建立一个设计工程，针对电路进行器件模型建立，完成单元电路的设计，完成各种功能模拟设计，对产生的模拟结果进行显示与分析，单元电路的参数优化，达到设计指标要求，设计结果和模拟曲线。 图42.1 射频集成电路设计流程对于完成的电路设计而言，接下来的工作就是完成相应的功能模拟设计。在ADS软件中提供有多种模拟设计控制组件，用于实现模拟分析。具体包括有：直流分析DC)、交流分析AC)、S参数分析S-Parameter)、谐波平衡分析和瞬态分析Transient)等。每一个功能模拟设计经过模拟运行后，都可以产生大量数据，可以借助数据显示窗口来观察各种模拟结果，通过分析进行电路参数的进一步优化配置。 2. 射频电路中的晶体管模型 在进行射频集成电路设计与模拟的过程中，一个重要的问题就是建立准确的射频器件模型。射频晶体管模型通常包含直流模型、交流模型和噪声模型等，它们都对应一定数量的模型参数，完成一个电路设计与模拟必须首先这些参数的具体值，即完成器件的模型。目前MOS晶体管BSIM3模型是一较为准确的模型，在射频集成电路设计与模拟中有着广泛的应用。 、实验内容 1. 图2给出了NMOS直流电路，完成电路和直流模拟控件等的参数配置，参数配置表，IDS.i～VDS，根据曲线分别算出当VGS为1V和2V时，对应VDS为0.5V、1V、3V时的跨导；添加跨导曲线：MOS_Gm～VDS，分别读出当VGS为1.4V时，对应VDS为0.5V、2V和3V时的跨导。 图42.2 NMOS直流特性模拟电路 表42.1 NMOS直流特性模拟电路的各组件参数配置表组件名称 参数 来源位置 V_DC SRC1 Vdc=VDS Simulation-Time Domain V_DC SRC2 Vdc=VGS Simulation- Time Domain MOSFET1 Model=nfet3 Length=0.5μm Width=100μm Devices-MOS I_Probe 名称IDS Probe Components DC1 变量VDS，范围：0~3.3，步长0.1 Simulation-DC Sweep1 变量VGS，范围：0~2.0，步长0.2，执行DC1 Simulation-DC Var1 给变量赋初值VDS=0，VGS=0 Data Items Meas1 设置模拟恒等式MOS_Gm=MOSFET1.Gm Optim/Stat/Yield/DOE NetlistInclude1 指定库文件general025.lib及其路径 Data Items 2. 图3给出了NPN直流电路，完成电路和直流模拟控件等的参数配置，表，IC.i～VCE，根据曲线分别算出VCE＝1V、5V、8V，IB1＝100μA和IB2＝1mA时所对应的放大倍数；读出IB＝1mA和IC＝10mA对应的饱和压降VCES；添加特性曲线：IC～VBE，读出IB＝1mA和IC＝10mA对应的饱和压降VBES。 图42.3 NPN晶体管直流特性模拟电路 表2 NPN晶体管直流特性