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内容： 黑体辐射与能量量子化的假设 光电效应 康普顿效应 氢原子光谱与玻尔的氢原子理论 微观粒子的波粒二象性 测不准关系 薛定鄂方程 无限深势阱中的粒子 激光原理 晶体点阵及电子波在周期势场中的传播 * 应用 Atoms （原子核） （外层电子、价带电子） （激发态电子） More than One Atom （价带层） （共价键 键合） （离子键 键合） Solids have Quantized Energy Levels （禁带） （允带） （原子间距） 2 s Band Overlapping energy bands Electrons 2 s 2 p 3 s 3 p 1 s 1 s SOLID ATOM E = 0 Free electron Electron Energy, E 2 p Band 3s Band Vacuum level Conductor (metals) Li （真空能级） （自由电子） （导体、金属） Semiconductors (a) A simplified two dimensional view of a region of the Si crystal showing covalent bonds. (b) The energy band diagram of electrons in the Si crystal at absolute zero of temperature. E l e c t r o n e n e r g y , E Conduction Band (CB), Empty of electrons at 0 K. E c E v 0 E c + c ( b ) B a n d g a p = E g ( a ) C o v a l e n t b o n d S i i o n c o r e ( + 4 e ) Valence Band (VB), Full of electrons at 0 K. （半导体） （电子亲和能） （导带） （价带） （能带结构图） （Si：硅Silicon） Electrons in periodic energy potential field Schr?dinger equation: （薛定谔方程） PE of the electron around an isolated atom r PE(r) x V(x) x=L x=0 a 2a 3a 0 a a Surface Surface Crystal When N atoms are arranged to form the crystal then there is an overlap of individual electron PE functions. PE of the electron, V(x), inside the crystal is periodic with a period a. （周期能势场中的电子） E-K Diagram : Ek k -p/a Ec Ev The E-k Diagram Empty yk h+ e- Eg hv Valence Band (VB) p/a Conductioin Band (CB) Occupied yk （能带结构图，即能量～电子波矢关系） （导带） （价带） E c E v C B The Energy Band Diagram e - h + hv V B （导带） （价带） e: 电子 electron h: 空穴 hole n-type Silicon e - A s + The As atom donates an electron into the CB, thus it is called a donor impurity. p-type Silicon B- h + The B atom accepts an electron from the CB, thus it is called a acceptor imipurity. As: 砷 B:硼 （硅） 施主 杂质 受主 杂质 In Intrinsic Semiconductor ( pure, perfect, undoped ) == ni — intrinsic concentration It’s also true for non-intrinsic (extrinsic, doped) semiconductors ! EC Ev EFi CB VB Intrinsic Few free carriers 本征 半导体 自由 载流子 费米能级EF