神龙1号加速器束流输运系统研制.pdfVIP

48 中国工程物理研究院科技年报 设计特性阻抗ZB为 1020Q，兼顾了光导开关电流容量的限制，现能得到的GaAs光导半导体开关工 作电压仅为 1．5~2．4kV，工作电流仅为200~300A。实验研究中，需提高工作电压时，只能用气体火花开 关替换 GaAs光导开关。利用有限元分析软件ANSYS模拟计算了设计的场强分布，结果表明当带状线浸 没在变压器油中时，可具有直流 150kV的耐压。 图1为采用GaAs光导半导体开关的输出电压波形，其电压为2kV；前沿约为4．9as，由GaAs光导 开关回路电感决定；脉冲半高宽约为34as，与设计值一致；波 动约±1％的平顶宽度为22ns。 研究表明，利用国产高介电常数复合介质和 GaAs光导半 导体开关构成的带状Blumlein线在2kV电压下获得了较为理想 的电压波形。如果采用更高工作电压的光导半导体开关，具有 产生更高电压较为理想电压波形的能力。复合介质和光导开关 构成的带状Blumlein线本身体积小，且可直流充电，光导半导 体开关的触发也可采用小巧的半导体激光器，整个功率系统十 分紧凑。下一阶段的研究主要是提高带状Blumlein线的输出电 5nadiv