渗硅制备Mo-MoSi2梯度材料层的特性.pdfVIP

第 37卷 第 11期 稀有金属材料与工程 Vo1．37， No．11 2008生 l1月 RAREMETALMATERIALSANDENGINEERING November2008 渗硅制备Mo．MoSi2梯度材料层的特性 李运刚 ，李智慧 ，马瑞新2，张士宪 ，唐国章 ，梁精龙 (1．河北理工大学，河北 唐山063009) (2．北京科技大学，北京 100083) 摘 要：以Mo为基体，利用 KCI-NaC1-NaF．(sio2)熔盐体系电沉积出的硅作为渗硅硅源，电沉积硅和在Mo基体上渗 硅同时进行，制备Mo．MoSi2梯度材料。以实验结果和理论计算为依据，对梯度层的特性进行了分析。结果表明：梯度 层硅含量呈 3种不同的变化规律，在靠近试样表面部分，硅含量沿深度下降率较大，在梯度层中间部分，硅含量基本 保持不变，在梯度层靠近Mo一侧，硅含量的下降率介于前两者之间；梯度层中，以Mo、Mo3Si、Mo5Si3种物质构 成的厚度 占整个梯度